求个业余条件下测试MOS导通电阻的方法

宏9456 · 发表于 2012-6-3 10:06

本帖最后由宏9456 于 2012-6-3 10:13 编辑

我的方法是：把MOS串联个1欧2W电阻，把GS并联，接入4.5V电压，量MOS两端压降，再测通过MOS电流，电压除以电流得到阻值，实际发现很多台湾出品的NMOS2.5A时电阻居然有220毫欧，1.5A时有300毫欧，不知这样测对不对，怎么跟说明书相差甚远？求解

chillmax · 发表于 2012-6-3 10:16

GS端加个电池，万用表量DS端，我是这么干的。Vgson大的就选3V的纽扣电池。

jigsaw · 发表于 2012-6-3 10:33

楼主的这个Rdson是不是得根据规格书上的Vgson来测量的呢

ycbw · 发表于 2012-6-3 15:52

你这样接法，MOS管没完全导通，正常应该独立给G极一个电压

384065902 · 发表于 2012-6-3 18:04

多数测vgs是10v......4.5v无法完全导通

aaaxy · 发表于 2012-6-3 20:40

GS并联，MOS还能导通吗？1.5Ax0.3欧姆=0.45V，您测试的应该是ds极间二极管吧。

aaaxy · 发表于 2012-6-3 21:00

宏9456 · 发表于 2012-6-4 10:06

哦，我错了，重新来测

宏9456 · 发表于 2012-6-4 23:15

已经测试成功，谢谢大家关心和指教！

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