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低压差线性稳压, PMOS或PNP管.仿真通过.
图1:
R3/R6对输出电压取样,其中R3需要精密可调电阻.
R2,U2组成稳压基准电压,2.45V
运放对取样电压与基准电压进行误差放大,驱动PMOS管. C4是对高频增益进行限制,(因为运放对高频信号放大时,相移会随着频率的增大而变大,当相移超过180度时,就会振荡).
稳压过程: 当输出电压升高,则R6上的电压也升高,因为R6接在运放的正相输入端,所以运放输出电压也升高, Q1的VGS变小,输出电压变小.
图2:
R3/R5为输出电压取样电阻,其中R3需要可调电阻.
R2为U1的限流电阻.同时向Q2提供基准电流,所以R2不能太大.
R4为反馈电阻,同时,R4也是为了抬高Q2的发射极电压.
R1决定Q2的增益,增益约为R1/R4.同时限制了Q1基极电流的最大值.
Q1元件是电路的关键.如果需要在输出1A时低压差,就必须使用在1A时VCE压降小的PNP.
同时为了提高效率,还要求Q1的HEF在输出1A时要足够大,这样Q1的基极电流也会小.
D45H11是满足这个条件的管子之一,在输出1A时,VCE压降小于0.6V时,IC/IB比较大.
有的管子VCE压降也可以比较小,但是要求这时的IB比较大.
稳压过程: 某种原因输出电压升高时,R5上的电压升高,U1电流增大,U1上的电压减小,Q2基极电压减小,Q2的IC减小,Q1的基极电流减小,Q1输出电压减小.电压稳定.
修正:
第二个电路图没有考虑小负载时的情况,当输出电流不够大时,U1无法关闭Q2.
修正方法,加一个普通LED(正常压降1.4V).这样U1最低时可达1.8V时,可以关闭Q2.
[ 本帖最后由 jiaming 于 2008-12-16 22:55 编辑 ] |
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