一乐电子

 找回密码
 请使用微信账号登录和注册会员

QQ登录

只需一步,快速开始

微信扫码登录

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜索
查看: 3281|回复: 2

(转贴)耦合电容和分布电容的选用

[复制链接]
发表于 2013-4-7 22:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
(转贴)耦合电容和分布电容的选用--来自中电网:
: F& `  A* m2 Q6 x; J. s  K+ ]从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。3 u" x" ?* \) w0 C: ^* @- B+ y* h6 A
去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u 或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。
3 p- s0 }6 @& Y旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
$ Q$ o6 U8 `# W: ~6 H' e去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦电容有5μH 的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz 左右,也就是说,对于10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF 的电容,并行共振频率在20MHz 以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10 片左右集成电路要加一片充放电电容,或1 个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz 取0.01μF。" B4 y# ]* W; }( Z
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式,在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小,但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响,尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容,制造时一定会产生,只是大小的问题。布高速PCB 时,过孔可以减少板层电容,但会增加电感。
2 Y$ n7 k& v- s0 K) o; L  i9 J分布电感是指在频率提高时,因导体自感而造成的阻抗增加.& G) P9 ~. E) P' @8 r* H
电容器选用及使用注意事项:
" i3 B) p2 x, H) Y, T) h" r% X1,一般在低频耦合或旁路,电气特性要求较低时,可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中,应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中,可选用电解电容器。8 G+ ]6 j7 S, `+ z3 T! X& u2 h
2,在振荡电路、延时电路、音调电路中,电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网(选频网络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度的要求不太严格。+ G  }: M0 Y$ u! ]  b, b/ v* r
3,电容器额定电压应高于实际工作电压,并要有足够的余地,一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。
! s( U+ n" x: V. i; ~! U0 W4,优先选用绝缘电阻高,损耗小的电容器,还要注意使用环境。( {  J# R2 k; ?- m
读《耦合电容和分布电容的选用》有感:一字之差,缪以千里!
) u& Y4 u3 D4 P% ~7 b2 J# B" P数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦电容有5μH 的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz 左右。也就是说,对于10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。首先:其中0.1uF电容有5uH的分布电感,5uH是5nH吧?根据电容电感并行共振频率公式f=1/2π√LC得出共振频率在225KHz左右,而实测频率确实大约在7MHz左右。) R* s, y$ {+ T1 P1 y+ {* ~% k, ]4 \
1μF、10μF 的电容,并行共振频率在20MHz 以上,去除高频噪声的效果要好一些。
  E/ `+ i  ]: V其次:根据上面的理论,稍微仔细点就可看出,1uF实际上是1nF。后面的结论是正确的,实际情况也是这样。
* l) ]  M+ y) y& o每10 片左右集成电路要加一片充放电电容,或1 个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
4 L/ P# ^- s3 c; c# U. C' A再次:电解电容应该指的是铝电解电容了,如果只说电解电容,那么钽电容也是了。另外,仅从结构上说是不完全正确的。大家都知道,电解电容容量高,根据f=1/2π√LC就清楚该用在什么频率范围内。聚碳酸酯电容也有卷饶工艺的嘛。电容的选型要根据频率的大小选择容值、耐压、温度系数、DF值、寿命等合乎要求的型号和系列。高频电路中则不要把电容当作一个单纯的容性器件看待,而是一个电阻、电容(主要因素)、电感(主要因素)的电路模型。
& q4 K- }; H. b9 h1 g; E去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz,取0.1μF,100MHz 取0.01μF。* b: N& [/ I' ^
最后:这句话是对的。经验之谈。
! C6 x( }* C* w8 G; C
发表于 2013-4-7 22:53 | 显示全部楼层
知道是好东西,但是看到这么多的图我就直接略过了,有时间再子线看
回复

使用道具 举报

发表于 2013-4-8 00:16 | 显示全部楼层
很实用的资料。就是字体小了一点。
回复

使用道具 举报

本版积分规则

QQ|一淘宝店|手机版|商店|一乐电子 ( 粤ICP备09076165号 ) 公安备案粤公网安备 44522102000183号

GMT+8, 2025-10-28 06:30 , Processed in 0.030394 second(s), 20 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2025 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表