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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen ' k! Z8 f. L& S/ h: u) [7 r- W
+ o2 T. n/ w! l8 F$ `. n
8 {% _% R \5 q! f* e1 I% s 滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!* {9 Q- [6 w X; T& Z
M8和M16的PDF手册上都有:/ V. b3 f9 H! P" d+ q
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个; d4 b. l8 R8 @2 U& w
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。 t4 R: l- m5 R
电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第
, H2 ?3 N/ v4 ]. d二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。
8 D" z- z6 M4 M& p0 s遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):/ _1 P" v& O0 Q: _
1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot
7 U% `# u7 k9 p' _0 fLoader 软件更新。& {0 s$ x/ W# o4 R: |9 B
2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测
# z' d5 a) H1 M8 r- m" v4 ]电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操
+ p, I6 Q: f; r& ~作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。" G, A" r8 C+ n: V7 E/ R0 ~
3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指$ M! u+ R7 c7 c
令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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