ＦＥＴ最简单的电子负载

benli · 发表于 2010-8-4 10:44

如果一切都理想，只会在很小一段范围表现为恒阻，主要表现为恒流。

MOS是电压——电流转换器件，并不 ...
菜鸟不飞发表于 2010-8-4 10:18 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

我先前弄错了，
栅极偏压独立时是趋向恒流的

lm.cn · 发表于 2010-8-4 13:17

不恒流啊！

my1048 · 发表于 2010-8-4 17:57

已经用上了，比较理想的简易负载器。

国望堂 · 发表于 2010-8-4 19:19

严重关注，期待最理想的电路

tfz123300 · 发表于 2010-8-5 06:06

关注中......................

steven888 · 发表于 2010-8-5 10:07

没有电阻好像做不了恒流，恒压或恒阻，不管电阻是在MOS上面还是下面，总得要一个。

benli · 发表于 2010-8-5 10:42

没有电阻好像做不了恒流，恒压或恒阻，不管电阻是在MOS上面还是下面，总得要一个。
steven888 发表于 2010-8-5 10:07 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

那是你的理解能力不够。即使是高精度恒压负载也不需要在MOS上面或下面串联电阻

yanjian · 发表于 2010-8-5 10:58

恒压好像是不用串,

但总得有采样的吧?

电阻分压采样电压是最简单了

这样电阻就是并了

locky_z · 发表于 2010-8-5 11:38

功耗导致升温，对性能影响较大
如果能够加入负反馈就最好了，例如加入一个NPN和源极电阻

倪大德 · 发表于 2010-8-5 13:57

本帖最后由倪大德于 2010-8-5 14:00 编辑

  说明：

   一。

         由于不同型号的功率NMOS管阈值电压不同，保证从零起调。使用调整见图：

二。
      NMOS管为电压型控制器件。当VGS一定时，ID是一定值，在一定的范围内与VD无关。此时ID 由管子

本身的跨导决定。理论上是恒流的。

      当然功耗导致管子发热会影响ID。大电流放电时要有散热措施！

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