挖坑系列--3r33负压与隔离绕组混合动力>>给vfd灯丝特设

lichuang1005 · 发表于 2012-5-20 20:53

本帖最后由 lichuang1005 于 2012-5-21 01:36 编辑

3r33的隔离方式正好是负压接法，负压正好利用一下给vfd提供vee
顺便隔离绕组给灯丝，
负压.jpg

输入5v电压

我负压最大调到-36v
调节到-22v，但是空载电流巨大，电感发热，没加外接电容

顺便给大家抛出来了GANF的辛苦之作
第一种负压模式：
负压.png

和第三种负压模式 - 隔离电源（第一种负压模式变形）：
隔离.jpg

顺便说一下这种贴片工字电感 1.5MHZ频率的都好找到，而且窗口面积不小
方便绕次级隔离线圈
电感.jpg

lichuang1005 · 发表于 2012-5-20 22:00

本帖最后由 lichuang1005 于 2012-5-21 01:23 编辑

我想用最后那种工字电感，灯丝绕组可以用较粗的铜线绕制在上面
磁屏蔽就最后加上铝箔
摘自天行健大哥的回帖
前面几位可能都在疑惑，3R33 主绕组不带负载，其辅隔离绕组是怎么输出功率的。听我来给大家解析。
先说明一下，3R33内部结构是一个典型的BUCK降压模式，如果这样接法下续流管用的是普通的二极管，主电感工作于第一象限，很明显，大家的想法是对的，就是主回路不接负载，副绕组没法输出功率。
但是请大家注意一个有别于一般BUCK接法，3R33是同步整流模块，它的下续流管用的是MOS开关，允许电流具有双向性，就这样决定了主电感中的电流在静态时候它工作于一三象限，按照楼主的副绕组接法，其带负载电流输出是在下管导通的时候对外输出的，这时候，负载电流和下管导通电流互相耦合且极性相反，互为抵消，这里输出滤波电容在上管开通时候充电储能，下管开通时候对负载放电，电容担负了能量交换过程的容器，因此就出现了主绕组不带负载副绕组也可以输出负载电流。楼主的原图：为了方便说明，我同时修改了楼主主电感和副绕组同名端标记
电感波.jpg

sdf15937 · 发表于 2012-5-20 22:23

3r33的空载还是太大~

mowuwen · 发表于 2012-5-20 22:28

怎么弄的？加了个什么

lichuang1005 · 发表于 2012-5-20 22:29

没加什么啊

menghan0405 · 发表于 2012-5-21 07:33

技术贴，学习下，

hijk1 · 发表于 2012-5-21 07:49

3r33真的是神器呀！

hardtoy2004 · 发表于 2012-5-21 09:41

学习学习

天行健 · 发表于 2012-5-21 23:59

本帖最后由天行健于 2012-5-22 00:11 编辑

这个帖子里面的负压方式，和我分析过的那个隔离线路，区别就非常大了。
首先是系统原先芯片耐压有限，芯片内MOS管上管，在关断时候，承受的不再是输入电压，而是Vcc+负VE。所以表现就是你的负压没法调的太高，负压高起来，到接近芯片输出极限后，MOS管有可能被软击穿，导致部分功耗直接消耗在芯片上面，这个肯定会导致空载电流上升。
其次是，芯片周边所有退耦滤波定时等阻容器件，不再接到输入地，而是接到输入Vcc-负压，其工作条件将被恶化，这个也非常容易导致此类同步整流工作的芯片，静态电流增大。
3R33模块有朋友测试，其最高耐压为30几伏，根据我前面分析的，器件实际承受电压为输入+负压，你的输入为5V，负压最大调到-36V，10+36=41V。这我只能说你的这个模块已经是超级模块了，居然到这个电压都不挂，当然这里我分析了，因为没外接电容，所以输出储能元件的能量不够足以摧毁芯片的话，其状态将是软击穿，负压被管子释放，消耗后，自动降低，从而保护了管子不被摧毁，这个和输入端直接加供电电压超过耐压不一样，后者将直接摧毁芯片。另外，输出不加大容量电容，3R33模块空载电流本来就会变大。
同时随着电压的提升，原来电感参数以及严重不合适这个电压条件了，理论上，电感量应该为原来的数倍，这将导致电感发热，由于电感变成有功器件，同时自然空载电流也上升了。
上面所有的条件都指向空载电流增大，你说你这个线路，要产生这么高负压，电流不大才怪呢。
解决的办法也不难，方法就是再做一个绕组，原先的输出端还是输出DC正电压，一个隔离绕组做灯丝，电压低，电流稍大，但是圈数少，另一组做负压，因为VFD负压负载通常非常小，你可以用另外比较细的线来绕，圈数根据和灯丝的比例再稍作调整就可以了，相位别搞错，直接整流成负压就可以了。

lichuang1005 · 发表于 2012-5-22 00:35

回复 9# 天行健

感谢老哥分享经验，十分感谢，受用良多，您跟傅老师分析的是一样的，哎还是踏实降压吧。

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