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楼主: raymondau
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[电源DIY] 原创!!!将12V液晶开关电源改成24V白光T12烙铁电源傻瓜式教程。

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发表于 2015-3-17 15:30 | 显示全部楼层
我也不太建议只做电阻值上的改动,这样24V输出的时候开关管基本上全功率输出了,电压不稳容易挂,应该再配合改下变压器的绕组就是最好的方案
发表于 2015-3-19 10:49 | 显示全部楼层
提高次级电压,增加次级绕组的匝数比较可靠。我改装时把次级线圈并绕改为串联,正好24v
发表于 2015-3-19 18:24 | 显示全部楼层
在次级上再绕一些靠谱些吧
发表于 2015-5-29 11:04 | 显示全部楼层
楼主搞的使用咋样,说下啊?
 楼主| 发表于 2015-5-31 09:44 | 显示全部楼层
我这里使用作为T12的电源是没问题的,但不是所有电源都能这样改,有些是要改变压器的
发表于 2015-5-31 11:13 | 显示全部楼层
要改变压器的
 楼主| 发表于 2015-5-31 16:04 | 显示全部楼层
大部分都要改变压器的,有些不用
发表于 2015-6-7 11:59 | 显示全部楼层
语文是体育老师教的,写的很啰嗦,没耐心的看最后红字就好了。

最近正好在学习低压隔离电源,用的3843做的反激,和这个电源很类似。说说个人了解:

输出功率不变的情况下:
1.变压器匝变比,这类电源都是宽电压设计,按照90-240V设计,所以在设计的时候,变压器就是按照90输入电压设计的匝变比,所以在调整到24V输出后,如果输入电压稳定在220V附近,匝变比没必要更改。
2.开关管电流,如果输出功率没有更改的话,电流在设计范围内。原因见上。
3.同理,源边供电绕组也没有必要增加稳压二极管。但在正确的电路上,C3这个地方本来就并有一个钳位的稳压管。
4.副边短路的时候,源边供电绕组电压也降到IC的阀值以下了,IC只能靠启动电阻间断的尝试启动电路,却总也启动不了。这就是所谓的连续短路保护。

以上这都是在输出功率不变的情况下,如你可以将12V6A的电源改成24V3A的。


但是一般的液晶电源都是12V3A的,而T12的头子,我测试的原装头子在2.7,8A左右,国产的直接过了3A,就算是间断供电,你这个改法也是功率超出太多了。这种情况下:
1.匝变比:固定频率下,变压器要传输的功率翻倍,而因为体积的限制,一般的磁芯设计功率不可能有太大余量。所以你这个改法,磁芯实际上已经饱和了。功率传输能力大幅下降,即使增加副边绕组一倍,也不能根本改善。
2.开关管电流:开关管会设计在低压时候也能输出足够的功率,所以开关管必然会能够承受(220V下)双倍的电流,但功磁芯饱和后,很难传输足够功率,副边仍然达不到额定电压,所以IC就一厢情愿的疯狂增加占空比,以期待满足输出电压。实际上大部分的电流都在变压器变成热能,这会极大增加开关管的平均电流,如果过流保护没有及时动作,很可能炸管。
3.由于大幅增加的占空比,所以源边供电绕组的电压上升很快,这是反激电源负载调整率差的先天缺陷。所以如果你这个电路里并没有在C3上并联钳位稳压管的话,很有可能超过IC的供电电压。但这也要看IC的供电上限是多少,一般都是正常13V到15v供电,上限35V。
4.危害:变压器饱和,即使电路可以正常工作,效率急速降低,可能在50%以下,开关管,变压器等发热会很厉害。一般PC44磁芯在小功率应用下,绕组设计合理几乎感觉不到发热,如果你摸到变压器发热比较厉害了,证明磁芯饱和了。

你的这个电路没有挂掉的可能原因:
   1.超负荷使用的时候,实际上开关管的电流已经远超设计(功率翻倍,磁芯饱和),所以实际上在T12工作的时候,PWM控制器检测到MOS的检流电阻上超过额定电压,就将电源保护了。但因为过流保护实际上是有个电容做平滑滤波的,所以过流检测是有延迟的,变成了T12加热-->延迟-->保护,电源再启动-->T12加热-->延迟-->保护。加上T12是间断工作的,你看起来就是工作正常,只是加热灯闪的更快了而已。

  2.电路的过流检测设计点过高,电路没有保护,但是由于变压器已经饱和,IC也达到了所能调整的最大占空比,所以整机输入功率不会无限上升。但输出功率达不到翻倍的需求,造成输出电压低,实际上已经不是24V了,这时候T12的工作看起来是正常的,只是加热慢,达不到几秒化锡。而且这个时候开关管和变压器发热很厉害,长时间工作就看脸了。

  所以,能不能使功率翻倍,开关管,匝数比和PWM控制器供电都不是太大问题,关键在于如何使变压器能够传输足够的功率到副边,也就是防止磁芯饱和,我能想到可能的做法有两个:
一是增加开关频率,频率越高,变压器输出功率的次数越多(反激的原理是源边储存能量到磁芯,再由副边输出。每次都是向磁芯储存进接近饱和的能量,所以存储和输出的次数直接决定了传输的总功率),但是增加频率一倍的情况下,开关管的结电容和开关速度就必须有所选择,同时副边的肖特基和滤波电容损耗,变压器的铜损,磁损都会增大。(我试验的12V隔离电路中,频率在150Khz时候,常规MOS都可以很好工作,但是提高到400Khz之后,常规电源管已经发热很厉害,整机效率降低,只有SW3205能够保持不太热。后来换成RDSon大的多,但开关速度很快的IRF630,发热比SW3205还低)。
二是增加磁芯的气隙,防止磁芯饱和,但这个会增加变压器的漏感,造成MOS的反向电压升高,搞不好就去见佛祖了,而且一味的增加气隙,会造成初级电感量变化,也并不一定能满足功率翻倍的需求。所以只能作为辅助手段。

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发表于 2015-6-7 14:12 | 显示全部楼层
12v变压器支持电压翻翻?
发表于 2015-6-7 14:13 | 显示全部楼层
12v变压器支持电压翻翻?

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