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发表于 2019-1-6 08:56
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深圳市美芯微电子有限公司 MDT10F676,(完全兼容PIC16F676,FLASH,内置EEPROM,多次擦写,内置振荡,10-bit A/D,PWM,CCP)特性:ROM:1K,脚位:14,PINI/O:12PIN,复位时间极快.2V,低电压工作.低功耗,温度范围宽。MDT10F676.pdf完全兼容PIC16F676,基于FLASH的14引脚8位CMOS单片机:开发工具支持:集成开发环境:MPLAB IDE在线调试器:MPLAB ICD2+AC162052在线仿真器:MPLAB ICE2000+PCM16YD0+DVA16XP141编程器:MPLAB PM3,PICSTART 高性能RISC CPU:o 只需学习35 条指令- 除程序分支指令外,其余所有指令均为单周期指令。o 工作速度:- DC-20 MHz 振荡器/ 时钟输入- DC-200 ns 指令周期o 中断能力o 8级深硬件堆栈o 直接寻址,间接寻址,相对寻址等寻址模式单片机性能特性:o 可选择内部和外部振荡器- 内部高精度4 MHz振荡器,出厂时精度校准为±1%- 可使用晶振和谐振器作为外部振荡器- 电压典型值为 3.0V时, 从休眠模式唤醒只需5 μso 省电休眠模式o 宽工作电压范围:2.0V 至 5.5Vo 工业级和扩展级温度范围o 低功耗的上电复位(POR)o 上电定时器(PWRT)和振荡器起振定时器(OST)o 欠压检测(BOD)o 带有独立振荡器的看门狗定时器(WDT)以保证可靠运行o 复用MCLR/ 输入引脚o 引脚电平变化可触发中断o 独立的可编程弱上拉功能o 可编程代码保护o 高持久性的FLASH/EEPROM 单元- FLASH可经受100,000 次写操作- EEPROM 可经受1,000,000 次写操作- FLASH/数据EEPROM的数据保存期超过40年
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