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MOS管在光伏场现场总是烧毁,实验室则正常 老师能帮我看下问题出在那里?

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发表于 2024-11-29 10:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
实验室测试电流25A,在75度环境下测试,MOS最高温度在125度,工作正常;但是到了光伏现场,电流在18A左右,外壳就鼓包了,肯定是MOS管发热严重,然后拆下来,发现MOS已经烧掉了
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 楼主| 发表于 2024-11-29 14:39 | 显示全部楼层
mos管工作都是开关状态

点评

过热烧毁一般就两个原因:通过场管的电流过大或导通电阻大,或者场管的开关速度太慢。 具体原因要靠你自己去查。 导通电阻大,可以用多只场管并联使用; 开关速度慢,可以加上施密特整形驱动电路。  详情 回复 发表于 2024-12-1 20:22
发表于 2024-12-1 20:22 | 显示全部楼层
ljfljfljf 发表于 2024-11-29 14:39
mos管工作都是开关状态

过热烧毁一般就两个原因:通过场管的电流过大或导通电阻大,或者场管的开关速度太慢。
具体原因要靠你自己去查。


导通电阻大,可以用多只场管并联使用;
开关速度慢,可以加上施密特整形驱动电路。

点评

如果是这两个原因,那么在实验室我测试25A的时候,就会出现了  详情 回复 发表于 2024-12-2 10:36
 楼主| 发表于 2024-12-2 10:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 ljfljfljf 于 2024-12-2 10:39 编辑
3AG1 发表于 2024-12-1 20:22
过热烧毁一般就两个原因:通过场管的电流过大或导通电阻大,或者场管的开关速度太慢。
具体原因要靠你自 ...

如果是这两个原因,那么在实验室我测试25A的时候,就会出现了,另外我是直接控制单片机管脚驱动栅极驱动器来控制MOS,开关状态,示波器看到栅极波形,从低到高或从高到底,延时只有十几个ns

点评

实验室是在恒温箱实验吗?这种环境下温度都上升50度,你怎么能放心到现场使用。 野外应该是密闭封装在盒子里,散热不好,而且工作环境比较恶劣。 必须要有足够的余量才能保证工作的可靠。  详情 回复 发表于 2024-12-21 21:57
发表于 2024-12-2 11:57 | 显示全部楼层
Vres 到 GND的路径是啥?查查是不是引入了干扰或者是寄生电感,EG3001尽量参考Vres平面
发表于 2024-12-21 21:57 | 显示全部楼层
ljfljfljf 发表于 2024-12-2 10:36
如果是这两个原因,那么在实验室我测试25A的时候,就会出现了,另外我是直接控制单片机管脚驱动栅极驱动器 ...
在75度环境下测试,MOS最高温度在125度,
实验室是在恒温箱实验吗?这种环境下温度都上升50度,你怎么能放心到现场使用。
野外应该是密闭封装在盒子里,散热不好,而且工作环境比较恶劣。
必须要有足够的余量才能保证工作的可靠。




发表于 2025-1-27 22:13 | 显示全部楼层
方便的话,先换200V耐压的NCEP090N20,排除实际工作环境有无过高的浪涌尖峰电压,导致的过压击穿损坏

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