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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen
s7 A4 w/ x& b: N R0 M7 O( z0 u# v' A# C6 N @2 ^- Y E
D. O Y2 Z5 i" [2 U) D' w* u- u 滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!
' N. @2 d A4 lM8和M16的PDF手册上都有:& r* H3 `/ {+ H6 B
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个 F- N6 N- ]5 L9 k, |& s z
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。* }9 G J& c% x7 p' e! `
电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第
4 m! }5 W8 z2 W! Z% O$ u二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。
4 t4 W: s8 @' R# ^* w3 W. G遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):
1 _, Q7 @2 ~9 | Q3 |1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot- a: m) o) z9 P4 I0 m+ S$ H
Loader 软件更新。% H* d1 {# B* M3 D
2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测5 w+ m3 L) J% Z# C+ m
电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操
0 l, B( o1 B' l$ H2 w6 k作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。
8 J3 R; c/ m! ^* P: e( j8 P3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指: k; O! z: [, o+ }3 q1 \- O
令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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