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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen
. j) `8 {& {; O p6 o
$ g; ?! H0 ], v" v+ ?0 t; n0 j7 Y ^, E% z4 O/ M
滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!
. d1 f$ g- `" p& hM8和M16的PDF手册上都有:1 Y' ~1 @* p6 l
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个
# V4 B" X# |" D问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。
4 l$ O0 l& i! @4 U3 z电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第
) K* f8 y( A& ~( F( K二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。 e8 e* j2 {& v! B
遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):
- A" C8 C- V' L6 ~1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot
! Q& a+ a& t2 C1 s9 uLoader 软件更新。+ u/ y+ X. P7 Z9 C2 g
2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测$ [, Y _/ O P$ V2 e @! m$ _, {
电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操) b* P( i7 L9 P! f$ r
作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。6 d% v" O$ U/ n4 w7 E0 s9 V' \, W
3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指
8 D& E4 D. |+ `3 K+ R- X令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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