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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen . {) E5 w) q% E' X1 y: {0 p, j' @
- M7 d6 ~# v- S: M" q
" _6 M- @% ]7 Y+ O: t- R 滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生! S, A D+ @" ^( Z2 R5 S
M8和M16的PDF手册上都有:* O L( R- H) B& K3 r8 H8 V
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个$ D% L9 a0 Q; w) B6 h2 G
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。8 A: U w$ c$ _6 @) K; I2 \% [$ W, a
电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第5 }/ `* {, c) u" }
二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。5 N2 b* i o, U" F
遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):0 b0 T# o G7 `6 A% K
1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot
6 S0 T4 F X. F" `3 ?9 NLoader 软件更新。) ?# [! a& X7 L
2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测
* q0 y8 ^ U. H5 g' i/ ?电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操
+ N, F" A+ Q- ^4 a3 e& H3 `/ d6 b作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。. F7 R4 @( h1 L/ b& g
3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指" |0 w( F$ W' j2 e
令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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