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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen
6 C8 E8 N+ _, n; _* G) o, `: X r3 g% o+ e3 c
' \5 g E/ I/ W/ ]
滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!
3 C8 \; w6 x$ }$ F- ]/ zM8和M16的PDF手册上都有:; U3 x. g& s0 b
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个9 L$ C1 b$ O/ I A- N! c& }
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。
4 E6 B" ~: y8 u0 [5 Y电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第
( g, [1 _" m* R3 ~! l% N7 e9 M二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。9 x9 L7 H; K6 U( [( L' A0 [) w
遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):
% ^1 y e- A* D0 Z. W1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot9 F+ T6 H$ T5 i
Loader 软件更新。
6 o) l% \+ U& X8 [ L2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测
y4 q0 J3 k | Q ]# T+ a8 |电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操1 g' l# K' P+ k7 _% s+ o
作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。
% N) c _* B$ ?3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指
0 t/ W9 z2 a9 o, V1 v( C令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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