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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen ) r* _2 d/ }" R' ^3 o
* j& e6 D9 G1 g1 u/ R, c5 x6 l' c K8 m+ I" l3 a& p% h
滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!9 ^9 c. H% g9 f( n
M8和M16的PDF手册上都有:
* P! r9 V5 [/ G( a& P3 aVCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个' ^9 l9 A4 u7 ~& u1 j; V' Z
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。1 S) r. N$ W2 J# T. u
电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第; B+ c1 T4 k/ k* M- k M
二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。
, f9 t. R, s9 I& | E& I5 K# }遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):
( t4 U6 R( |2 r1 t4 n$ d: Z. [1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot
% R6 h! X3 i9 X& ^Loader 软件更新。5 T9 b2 B4 P2 \0 Z4 ]
2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测+ [$ m* D8 S2 `- k* [
电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操
0 B. D) z& i. `: J作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。
" i% O( q# i. n3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指% [8 d: q6 `6 O$ M7 |! E
令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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