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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen
/ P7 n3 X r* ?1 ?6 m
4 }; }1 k/ s4 X" c8 L0 e' K3 {$ ^, m4 [4 V2 g3 A7 ^ I
滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!
3 T4 E% d& f2 Z: {+ cM8和M16的PDF手册上都有:2 N& [9 f+ p/ a8 W. _
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个$ R. s4 {' c) A' H. |. j3 x! o- n
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。$ P$ V/ f5 }' G, e& i! ~4 d' @
电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第9 Q7 q+ R0 p( `4 Q" C7 `5 i* c
二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。
: C- }2 ?( y# B遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):
% n: q- {) ]5 A; E' l$ H) E1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot
- `( V8 M' ^9 z: @/ M! i9 w; GLoader 软件更新。
! c% q: E. @6 V' a3 J$ f2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测
" q4 S# a$ ^' Z* _电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操+ y2 | F0 y2 F: S$ f
作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。1 e# t% d' _# B& @; X* m! n/ k0 k6 I
3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指4 [. I; \- f' V& p2 N$ F
令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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