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发表于 2011-12-21 09:26
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回复 10# wanjiangen , f: ?4 l F; Z" z' W7 I; {; {
; d& W0 t! \) ^2 W$ U4 F" q$ j" P
- Y1 \ v7 n. \( P9 O# { 滤波电容大,负载小,导致关机时电压下降慢。电压低于M8的工作范围,M8会神经错乱,什么事都干得出来!电压下降的越慢M8神经错乱的时间越长,那什么事情都有可能发生!
) T& _& l/ o" M9 x2 ^- m2 G: UM8和M16的PDF手册上都有:8 o, T5 Y2 P" D3 K; f" _0 x
VCC 低于工作电压时,CPU和Flash 正常工作无法保证,Flash 的内容可能受到破坏。这个; ]" q% S2 e* c. b. ^0 @; C
问题对于应用于板级系统的独立Flash 一样存在。所以也要采用同样的解决方案。1 h- k5 B. w' X6 Z
电压太低时有两种情况可以破坏Flash 内容。第一, Flash 写过程需要一个最低电压。第5 G2 `5 j1 N! [( T1 M2 |, c0 T
二,电压太低时CPU 本身会错误地执行指令。7 T w8 @( q3 Y+ y$ q
遵循以下设计建议可以避免Flash 被破坏( 采用其中之一就足够了):
) b, L0 |! T$ C/ j% C4 C1. 如果系统不需要更新Boot Loader,建议编程Boot Loader 锁定位以防止Boot% ^: E: c5 V+ W0 r7 t s/ `
Loader 软件更新。
, j' {* K9 P- t2. 电源电压不足期间,保持AVR RESET 为低:采用的方式为:如果工作电压与检测
' U, Z$ M3 ~* K5 O电平相匹配,可以使能BOD 功能;否则可以使用外部复位保护电路。如果在写操. X6 F9 \ i1 U' h" r
作进行中发生了复位,只要电源电压足够,写操作还会完成。
6 }( i7 z( ]# F- ~+ [: @) D3. 低电压期间保持AVR 内核处于掉电休眠模式。这样可以防止CPU 解码并执行指: M6 ]6 X$ O# ~6 ~
令,有效地保护 SPMCR 寄存器,从而防止Flash 被无意识得修改掉。 |
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