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[avr] M8电子负载超过1.2A放电时,变为感性负载,可以解决吗?

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发表于 2011-9-24 00:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
大大们,M8电子负载V4版的,用示波器监测,在放电电流超过1.2A时,用示波器测量放电电平,是交替振荡的波形,不是一个纯阻性的负载,这对某些电源的放电能力测试时会造成误差,请问这种问题有解决吗?
 楼主| 发表于 2011-9-24 01:09 | 显示全部楼层
刚才把MOS管换成S8050+2N3055,发现放电电压变得很平滑了,看来纯阻性负载用三极管会更好。
发表于 2011-9-24 10:27 | 显示全部楼层
电路是什么改的???发上来看看呀。。
发表于 2011-9-24 13:41 | 显示全部楼层
应该是振荡了吧
 楼主| 发表于 2011-9-24 16:35 | 显示全部楼层
电路上,直接把MOS替换成S8050驱动的2N3055,图如下,
20110924902.jpg

现在正在给M8电源和M8负载装外壳,稍后将MOS管与2N3055放电时的波形分别拍下图片发上来,以供大家分析
发表于 2011-9-25 16:51 | 显示全部楼层
MOS比较容易振荡
发表于 2011-9-25 16:52 | 显示全部楼层
换成三极管低电压放电估计不好了
 楼主| 发表于 2011-9-25 18:21 | 显示全部楼层
今天测又没看到振荡了,可能是那天放电发热太大的原因,
32V 2A的电流,这两天重新装了个壳子,并用两个MOS并联,
下面是改过的负载,秀一下!

20110925929.jpg 20110925931.jpg
20110925933.jpg
 楼主| 发表于 2011-9-25 18:22 | 显示全部楼层
20110925928.jpg
发表于 2011-9-28 02:20 | 显示全部楼层
这么小只的散热片,单MOS就足够了

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