单片机直接驱动MOS管，会不会烧坏IO口？

scaniahino · 发表于 2012-9-7 20:45

回复 1# gw168sh

gw兄又要做好玩的了

Bravive · 发表于 2013-1-10 16:30

请问你说的这个问题解决了吗？我现在用单片机IO口选择开关的通断，结果IO口总是发现不能用了，我不知道是不是和你一个问题，请指教啊

rgwan · 发表于 2013-7-20 09:05

直接驱动FET需要考虑是N管还是P管。FET输入电阻相当大。烧不了IO。不过如果FET烧了可能也会连着少IO。N管就不建议直接驱动了。因为N管的G极电压必须高于Vcc才能导通。
P管可以。不过注意FET的S极电压要等于单片机vcc。否则无法完全关断。
PS：建议中间弄个三极管当缓冲。这样相对来说就比较安全。没必要用光耦。坑爹的。除非干扰非常强

209 · 发表于 2013-7-21 17:46

一直使用IO直驱MOS管,中间串个560的电阻,用于控制外部继电器,电磁阀什么的,从没烧过

40560335 · 发表于 2013-7-23 00:32

正常来说只要MOS不烧IO就没事，因为MOS的栅级是容性的，一般都是MOS烧毁导致击穿，将高压接到了IO口！~

kyd12345 · 发表于 2013-8-21 20:28

要看单品机io口的拉灌电流

sexmo · 发表于 2013-8-25 23:55

准确的说，除了意外，就要考虑工作频率和结电容的问题：高频下驱动MOS的时候，需要上百ma的驱动电流是很正常的。IO是否能够推的动？如果无法推动，电路无法工作，且G电压升率不够快，可能导致MOS不能很好的工作在开关状态，功耗太大而挂掉。
一般低VGSon的MOS，结电容会非常大。

低速运用或者小功率运用无碍。

whty2010 · 发表于 2013-9-21 21:52

觉得还是光耦隔离控制牢靠些

duanyz · 发表于 2013-9-25 10:49

209 发表于 2013-7-21 17:46
一直使用IO直驱MOS管,中间串个560的电阻,用于控制外部继电器,电磁阀什么的,从没烧过

能说说mos管的型号吗?

209 · 发表于 2013-9-25 11:14

24n06,55n06,irf540

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