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楼主: bg3tay
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M8V6电子负载MOS管的代换问题

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发表于 2013-5-5 21:29 | 显示全部楼层
拆机的IRFP2907,比IRFP3710更适合M8电子负载
发表于 2013-5-7 20:20 | 显示全部楼层
shj117 发表于 2013-5-5 21:29 static/image/common/back.gif
拆机的IRFP2907,比IRFP3710更适合M8电子负载

IRFP2907的参数是75V 209A 但是作为电子负载,mos是工作在线性状态,分到每个MOS管的电流才几安培 关键是管子的散热能力,所以我选择了这个封装的管子
发表于 2013-5-7 22:52 | 显示全部楼层
本帖最后由 shj117 于 2013-5-7 23:25 编辑
CHWD5 发表于 2013-5-7 20:20 https://www.yleee.com.cn/static/image/common/back.gif
IRFP2907的参数是75V 209A 但是作为电子负载,mos是工作在线性状态,分到每个MOS管的电流才几安培 关键是 ...


IRFP2907 和 IRFP3710 二者封装是一样的。管子的封装和后边的散热器很关键,确实是这样的。
发表于 2014-3-7 13:15 | 显示全部楼层
嗯学习了,调试中
发表于 2014-3-14 10:43 | 显示全部楼层
整个IRF2907吧
发表于 2015-3-18 13:36 | 显示全部楼层
是的线性,这样功率在管子上消耗,真是这样,所以散热必须大大的
发表于 2022-5-23 17:23 | 显示全部楼层
大封装的mos 里面有Pt最大耗散功率,这个选择大的好是吗?还有内阻选择小的好还是大的好,大神们,
发表于 2022-5-23 17:46 | 显示全部楼层
耗散功率越大越好,封装尺寸越大越好,
内阻对正常测试影响不大,只是影响大电流测试时的最小可测试电压。

可以计算如果内阻100毫欧(当然实际不会那么大),10A时在管子上就有1V,再加上检流电阻的压降,最低测试电压就更大了。

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