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【求助】这个场管NTE326能用什么代换?

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发表于 2013-2-24 07:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 pyt 于 2013-2-24 07:54 编辑

去华强北跑了一个下午,竟然没有1家有这个元件卖,请教一下各位老师这个场管能用其他的场管代换吗?最好是比较容易买到的,谢谢~

NTE326
Silicon P–Channel JFET Transistor
General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.82mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +135°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage V(BR)GSS IG = 10μA, VDS = 0 40 – – V
Gate Reverse Current IGSS VGS = 20V, VDS = 0 – – 5 nA
VGS = 20V, VDS = 0, TA = +100°C – – 1 μA
Gate–Source Cutoff Voltage VGS(off) ID = 1μA, VDS = 15V 1.0 – 7.5 V
Gate–Source Voltage VGS ID = 0.2mA, VDS = 15V 0.8 – 4.5 V
ON Characteristics
Zero–Gate–Voltage Drain Current IDSS VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz 2 – 9 mA
Small–Signal Characteristics
Forward Transfer Admittance |yfs| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz 1500 – 5000 μmho
Output Admittance |yos| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz – – 75 μmho
Input Capacitance Ciss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz – 5 7 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz – 1 2 pF
Functional Characteristics
Noise Figure NF VDS = 15V, VGS = 0, RG = 1MΩ,
f = 100Hz, BW = 1Hz
– 1.0 2.5 dB
Equivalent Short–Circuit Input Noise
Voltage
en VDS = 15V, VGS = 0, f = 100Hz,
BW = 1Hz
– 60 115 nV/Hz

附件是NTE326的Datasheet文件



发表于 2013-2-24 09:08 | 显示全部楼层
这种管子代换的可不多,结型mos本来就少,还是P沟道的。代换几乎找不着,网上买吧
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 楼主| 发表于 2013-2-24 11:13 | 显示全部楼层
谢谢,就是买不到才来求助的,只能让老外在美国买了
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发表于 2013-2-24 11:19 | 显示全部楼层
国外带?不如摸清用途,弄不好还能变通,国外带岂不冤枉。
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