N沟的MOS管，栅极不是要加高压吗？9V左右

gw168sh · 发表于 2013-7-31 08:40

锂电保护板上也是N沟的，这个不用高压呀！

MOS型号是 SI8205

benli · 发表于 2013-7-31 08:59

这型号3v就够了

benli · 发表于 2013-7-31 09:01

有些MOS的开启电压Vgs较低的，具体见手册

袋鼠大侠 · 发表于 2013-7-31 09:09

这是负极保护，栅极电压本来就比源极高。我没找到MOS的DataSheet，不知道VGS的值。一般MOS的最小典型VGS都是1.8V、2.5V或者4.5V，单锂保护的一般应该用的是1.8V的吧。

benli · 发表于 2013-7-31 09:21

袋鼠大侠发表于 2013-7-31 09:09 这是负极保护，栅极电压本来就比源极高。我没找到MOS的DataSheet，不知道VGS的值。一般MOS的最小典型VGS都 ...

开启电压没有典型值一说。手册中一般会给出几个典型电压Vgs下的漏源电阻Rds（on）、Vgs与Id的特性曲线

袋鼠大侠 · 发表于 2013-7-31 09:47

benli 发表于 2013-7-31 09:21
开启电压没有典型值一说。手册中一般会给出几个典型电压Vgs下的漏源电阻Rds（on）、Vgs与Id的特性曲线

开启电压没有典型值，但人们选择MOS管的一个重要参数就是这些典型电压下的Rds，有根据电压选Rds的，也有通过Rds选电压的。而且官方还将某些管子定义为2.5V管子，1.8V管子，将2.5V和1.8V定义为VGS的典型值也说得过去吧。

jcdzxh · 发表于 2013-7-31 10:11

低VGS开启型号，另有一类保护电路是用电荷泵升压作VGS开启

gw168sh · 发表于 2013-7-31 11:09

用两个这样的管并联，带白光烙铁头如何呢？
一个封装里面有两个MOS管，如果像一楼那样串联使用，是不是耐压可以达到40V呢？

未命名.JPG

384065902 · 发表于 2013-7-31 11:45

gw168sh 发表于 2013-7-31 11:09
用两个这样的管并联，带白光烙铁头如何呢？
一个封装里面有两个MOS管，如果像一楼那样串联使用，是不是耐 ...

这么低压的mos管串联没意义加费钱（我说的是驱动成本），真不如买一个。Pmos irf9540 3元内，Nmos随意，上修电动车那买坏掉的电动车控制器20元一个里头大约12个Nmos

社建电子 · 发表于 2013-7-31 12:47

如果把白光接在上面应该可以，只是热电偶取样电压怎么取呢?

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