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M8电子负载中直接用PWM驱动MOS管

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发表于 2010-6-11 09:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
在关于M8电子负载的帖子中看到有人直接用M8的PWM输出来驱动MOS管。

貌似可以工作,那个帖子找不到了,不知道那位大虾试过,来谈谈使用情况吧~~~



自己用示波器看M8的PWM输出,在关闭放电控制时,PWM有个初始很小占空比的输出。

随着调节电流的增加,PWM的输出占空比逐渐增加。

通过示波器查看,PWM的输出占空比逐渐增加的过程,比例情况不错,毕竟是数字信号,

所以是否可以直接控制(或加一级功率放大驱动)MOS管工作呢?

如果这接驱动MOS管可以工作,那么放电电流如何稳定呢?原电路是通过358的反馈,来控制MOS管电压,使电流稳定。

要是PWM控制MOS管的话,电流如何检测反馈呢?

大大希望有经验的没经验的DX们多多发表看法~~~~
发表于 2010-6-11 10:07 | 显示全部楼层
不滤波直接驱动mos?脉冲放电好不好?
电流稳定在电流反馈回路里加个电容滤波后应该可以
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发表于 2010-6-11 10:20 | 显示全部楼层
电子负载也分线性和开关两类,楼主说的就是开关行电子负载,这类多用于大功率的时候,输出要加电感,多使用桥式推动输出,此时真正落到负载电阻上的还是直流
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 楼主| 发表于 2010-6-11 11:09 | 显示全部楼层
电子负载也分线性和开关两类,楼主说的就是开关行电子负载,这类多用于大功率的时候,输出要加电感,多使用 ...
fujiachun 发表于 2010-6-11 10:20 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif



    如果就现在的M8电子负载而言,直接用PWM输出控制MOS管的话,付老师您觉得合适么?
    这种情况下驱动后放电的电流稳定性理论上如何判断与计算?
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发表于 2010-6-11 11:28 | 显示全部楼层
一样的。PWM的占空比决定了能量密度(好像是这么说吧?)。
参考下普通的开关电源芯片。一回事。
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发表于 2010-6-11 13:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 snoopy8008 于 2010-6-11 16:47 编辑

没注意把电子负载看成电源了。因此来修改帖子。

无论你怎么改,电子负载都是要模拟一个负载,目的就是消耗能量,就是要把指定的能量转化成热量消耗掉。
不在mos上消耗,就是要在别的地方消耗,哪个散热容易呢?
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发表于 2010-6-11 13:35 | 显示全部楼层
如果就现在的M8电子负载而言,直接用PWM输出控制MOS管的话,付老师您觉得合适么?
    这种情况 ...
kakou 发表于 2010-6-11 11:09 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

原则上没有问题,实际落到负载上的是直流,对于电流的检测并不会受到影响。我没有这个M8的电子负载,但是运放+MOS这种方式冯老师曾经有个试验,就是输出实际不是纯正的直流,因为运放的失调电压影响输出的波纹是比较大的,所以这个无所谓是使用开关方式还是线性方式,已目前的情况都差不多。
电子负载本身不是快反应设备,AVR系列的单片机我以为够了,15K的采样速率如果程序控制的好没有问题。
至于电源,我没有更好的测试手段,设定15V10ma无论是M8-R-2R还是模拟的,基本都是相同的水平,当然,这个还和发光管本身有关,普通的发光管多数可以在20V10MA的水平得到保护,从我接触的数字电源和模拟电源的比较没有速度差异。楼上说的速度问题我没有更好的测试方法,如果楼上方便,帮忙说说您是如何测出这个速度的差异的
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发表于 2010-6-11 16:48 | 显示全部楼层
回复 7# fujiachun


    抱歉,我把电子负载看成电源了。已经修改了回复了,如果是电子负载,改正什么驱动都没意义,能量守恒定律,负载消耗的电能总归是要转化为热量。
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发表于 2010-6-11 17:36 | 显示全部楼层
回复  fujiachun
    抱歉,我把电子负载看成电源了。已经修改了回复了,如果是电子负载,改正什么驱 ...
snoopy8008 发表于 2010-6-11 16:48 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

其实道理都是一样的,电子负载如果不考虑等效内阻,就可以考虑其他的能量消耗方式。多数小功率成品负载都是功率在功率管上消耗,大的负载功率是在负载电阻上消耗,有的是外接专门的负载电阻
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发表于 2010-6-12 00:21 | 显示全部楼层
其实道理都是一样的,电子负载如果不考虑等效内阻,就可以考虑其他的能量消耗方式。多数小功率成品负载都 ...
fujiachun 发表于 2010-6-11 17:36 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif



    外接功率电阻是会减小电子负载可调范围的。M8电子负载也都预留了外接功率电阻的位置。

   楼主提到的那个帖子应该我也见过,原贴作者是想让电子负载的MOS工作在导通状态就可以“不发热”或者“少发热”,完全无视“能量守恒定律”,沉底找不见是必然的。
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