碰碰运气：晶振接电容的区别在哪？

国望堂

看了N多晶振接电容的电路都是左边这种，但实际使用时，往往晶振不准，要调整，所以使用右边的图，按图中数据，实际使用时，左边右边有没有区别？

huayuliang

没用过右面那种电路，头一次见。
但无论哪一种，都要调整容量的吧？

另，如果对频率要求高，莫不如使用有源晶振。

cosine

记得在晶振上并或串电容都可以调整.可以把其中一个30P换成可调试试,如果有频率计看输出频率的话,有示波器也成.

tfz123300

第二种接法没见过 ...

国望堂

第二种是我独创的，呵呵
话说第二种，用来调时钟晶振，用了1、2年了，时钟基本都调到0.1-0.5秒每天，再高就无能为力了----受温度影响极大----年累计1分钟内是不成问题的。

社建电子

可以申请专利啦

倪大德

看了N多晶振接电容的电路都是左边这种，但实际使用时，往往晶振不准，要调整，所以使用右边的图，按图中数据 ...
国望堂 发表于 2010-8-2 19:19 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

        这要看用在什么地方！（由电路内结构决定）

        单片机为了得到稳定的时钟，往往使用左边的方法。（当然电容不用也行）


        但时钟电路不同，以DS1302为例：

        其内部已集成6PF的电容。只要选用6PF负载电容的晶振即可。根本无需另加电容即可获得稳定可靠的时钟。（见手册）

问题是现在大都使用DS1302时，只注意选用32768晶振的频率而忽略晶振本身的负载电容。如果晶振的负载电容和DS1302提供的6PF

不一致时，就会产生频偏。时钟不准！

        当出现时钟不准时，说明所用的晶振负载电容不为6PF。可用右边方式，在晶振端串或并一电容使之负载电容为6PF。

fat

左图这两个电容，印象中好象叫负载电容，对于某些场合（比如普通的89C51/52），可以省略不用。而右边的图上电容是并联在晶振上的，对振荡频率有影响，起到调整振荡频率的作用。但晶振的等效电路比较复杂，并上这个电容与调整的频率的变化就不好计算了，只能拿频率计边测边调。

国望堂

几个老大都进来了，限于手上没准确的频率计，也因都是调时钟晶振，所以，比对CCAV1的时间，经一段时间(如1天、2天、5天、10天、30天、80天.........)累计对比，看是快还是慢，再适当调整右图的电容大小
目前，把手上的2块1302时钟、N个89C4051(就是TSMAWA兄的煤气报警器改成)、N块CT万年历成品板.............调到0.1-0.5秒每天的误差

zghlt

事实上图一和图二的电路可以认为是等效的，图一的2只30P电容串联就是15P（别管中间接地），这两个图都可以理解为负载电容和晶振并联，容量加大能使晶振振荡频率降低，也就是使时钟走慢。而如果用一个电容和晶振串联就会使晶振振荡频率提高，使时钟走快！根据我的实际经验，通过调整电容一般能达到±50秒/ 天的调整量，（如果偏差大于这个值就是晶振频偏过大的原因，需要换晶振）。在实际选取电容时要注意并联时电容不能选得过大，串联时电容不能选得过小，否则有可能导致晶振停振。