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[电子电路] 请3AG大神帮忙设计一下 图腾柱双电压驱动电路

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发表于 2016-3-30 11:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
发表于 2016-3-30 20:59 | 显示全部楼层
是不是就是一个可以上100khz且能长时间导通的高测mos开关吧~,是的话我这里有电路
 楼主| 发表于 2016-3-31 09:06 | 显示全部楼层
384065902 发表于 2016-3-30 20:59
是不是就是一个可以上100khz且能长时间导通的高测mos开关吧~,是的话我这里有电路

恩,不是长时间导通是200K左右,5V的PWM转换成反相-10V左右的PWM波,驱动PMOS。PMOS的S极电压由36V电压。但是PMOS的GS电压一般最高也就20V,所以才有上面的要求
发表于 2016-3-31 10:37 | 显示全部楼层
烦人无赖 发表于 2016-3-31 09:06
恩,不是长时间导通是200K左右,5V的PWM转换成反相-10V左右的PWM波,驱动PMOS。PMOS的S极电压由36V电压。 ...

你用光耦不行么?
发表于 2016-3-31 13:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 384065902 于 2016-3-31 13:10 编辑
烦人无赖 发表于 2016-3-31 09:06
恩,不是长时间导通是200K左右,5V的PWM转换成反相-10V左右的PWM波,驱动PMOS。PMOS的S极电压由36V电压。 ...

QQ图片20160330220235.png

不用负电压驱动,只要你那Pin供电电压不是低到导通不了Pmos
电路里面两个PNP管做的6ma恒流源,一边负责提供乙类功放输入上升阶段电流,一边减小下面NPN的截止恢复时间.频率高或者需要更陡的Pmos关断波形可适量改小100欧电阻以增大驱动电流
下面的NPN负责反相驱动,经过10k电阻与高速稳压管结构箝位后送到乙类功放输入,使Pmos的G级不会过电压烧坏
470与2nf的RC负责在导通瞬间提供大电流,使Pmos的G驱动导通波形更陡
电路设计时,输入电压设计为10V-80V,若是用于低压请适当减小10K 470欧和100K电阻,反之则增大

补充一点,若是控制器的输出有能力直接驱动Nmos的话最好用2n7002之类的信号Nmos取代下面的NPN管,效果更好

发表于 2016-4-1 10:00 | 显示全部楼层
未命名图片.png

PMOS的自己改吧。如果需要和供电电源同一电压,给mos的GS增加一直稳压二极管。

发表于 2016-4-1 12:39 | 显示全部楼层
烦人无赖 发表于 2016-3-31 09:06
恩,不是长时间导通是200K左右,5V的PWM转换成反相-10V左右的PWM波,驱动PMOS。PMOS的S极电压由36V电压。 ...

我原来发过一个类似的帖子,你去找一下。
那个是驱动NMOS场管的,把电路的极性换一下即可。
发表于 2016-4-1 12:53 | 显示全部楼层
发表于 2016-4-1 13:24 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2016-4-1 12:39
我原来发过一个类似的帖子,你去找一下。
那个是驱动NMOS场管的,把电路的极性换一下即可。 ...

驱动时Pmos比Nmos局限多的不行额......
发表于 2016-4-1 13:34 | 显示全部楼层
384065902 发表于 2016-4-1 13:24
驱动时Pmos比Nmos局限多的不行额......

工作原理都是一样的,只是极性的区别。

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