M8电子负载怎样改善精度？

gdzrjtsxj · 发表于 2011-3-10 02:41

本帖最后由 gdzrjtsxj 于 2011-3-10 02:47 编辑

有同感，换运放只能解决响应速度和最小放电电流，其他的问题取决于取样电阻的温飘和MOS的性能等。 ...
lm.cn 发表于 2011-3-9 22:06 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

这样的精度，取样电阻的温飘可以不计，主要还是和MOS的特性有关。功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，从MOSFET数据表的传输特性可以看到，一般25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点，此交点是VGS为转折电压。在VGS转折电压以下，RDS(ON)为负温度系数（电流会随着温度升高电流反而下降）；而在VGS转折电压以上的部分，RDS(ON)为正温度系数，除非有补偿。安捷伦那个电路图中取样电阻上的运是否就是起补偿作用？我一直在纳闷。希望会仿真的同志试试，我仿真没有成攻。

soul0423 · 发表于 2011-3-14 15:32

精度上去价格就不是一个级别了吧

mytomatoes · 发表于 2012-1-2 18:34

安捷仑负载取样电阻上的运放只不过是差分放大而已……

jiamu · 发表于 2012-1-6 22:44

最重要的是取样电阻，MOS特性对电流的影响根本不用考虑，M8的电路设计已经解决了这个问题。

roamer · 发表于 2012-1-18 01:36

用高位的ADC

		自动登录	找回密码
密码			请使用微信账号登录和注册会员

M8电子负载怎样改善精度？

浏览过的版块