做个玩具，发现并不是那么好搞的

wulishui

PD诱骗器得到20V，开关升降压跟随+线性稳压、恒流，电路已经过实践调试，勉强可以用。运放使用超低输入失调电压（5uV）、超低温度漂移（0.2uV）、高工作电压（40V）、高驱动电流（65mA）的轨到轨运放OPA2192（也可以使用2188，但失调电压25uV过高了），基准使用低温飘的ADR03B（10ppm），LTC3780可以去AD薅，OPA2192、ADR03B可以去ti薅。
跟随电流图中取值压差是2.2V（压差必须比PMOS的VGS要高，不然电压调到0后无法再调起，我这里使用的是1V VGS的PMOS），输出电容C*需要大到一定值才能抑制自激，完全不使用C*空载时不自激，但接有电容的负载时会自激，如果作为实验电源原则上不要使用这个电容，不然电容储能瞬间就能烧毁实验对象，根本轮不到限流保护动作，但现实中是无法不用。


原理上这两个电路都行得通，但是实践发现A电路存在无法解决的自激，不可救药，而B电路却可以通过加大相移电容解决。甚至自激和MOS有关，不同的MOS有的自激有的不自激（疑与ciss大小有关）。


4层板，板子原先设计有运放负压，实践发现不能使用负压，有负压时线性部分自激，OPA2192的输入失调只有5uV，不用负压电流也可以接近调零。


现在的结果是开关升降压跟随无自激、线性部分恒压、恒流容性负载、感性负载都无自激，可是万用表电流挡测试时恒流部分却会自激，莫名其妙。
电路并没有完善，实践发现LTC3780在升压模式时输入电压低于5.5V会发生boost锁死无法自举，MOS因得不到足够高的驱动电压而发热、消耗非常大电流而烧毁，要么不要省略PD诱骗器的VBUS开关，要么在LTC3780上加低电压禁止，后者比较简单且安全。

至于线性部分自激，是否改为反相负反馈比较好，或者使用NMOS比较好，因为板子就做成这样，实在没有精力去做太大改动来试。

icevel

这个好玩，我也想搞一个，最近没空。  type C 的座用烙铁好焊么

cdhigh

type C我用烙铁焊过，焊盘和座子的管脚先上锡，锡不要多，多用点焊膏，再用短圆头小心一个一个焊（尖头感觉很难焊，回温慢），结果还可以。
不过如果焊接的地方允许，都用热风枪焊，热风枪焊就很简单了。