解决大容性负载电路MOS开关损耗方案——预充电电路

sln.1550

开关损耗只有降低开关的电阻才能减少，预充电由于开关电阻大，所以损耗更大。
我同意4楼说的，MOS管会坏还是因为散热不行或者超流、超压了。

國龍

sellen 发表于 2024-7-29 11:15

这个可以过多大电流呢请问

國龍

3AG1 发表于 2024-7-23 21:33
可以在大电流开关管上并接一个功率小一点的场管，当输入开启信号后，主开关管先处于关闭状态，让小功率的场 ...

三哥请教一下，如何制作一组600V/300A，MOS高端的电子开关。

sellen

國龍 发表于 2024-7-31 15:19
这个可以过多大电流呢请问

我设计用的MOS是这个：
https://item.szlcsc.com/19352211.html
（参数：耐压40V，电流80A，5.5mΩ@10V ）
设计指标是24V5A，负载是白炽灯（5个24V21W）。
实际上更换MOS可以做到更大电流，选择这款主要是封装足够小（DFN-8 5*6）。
因为冷态白炽灯启动时，确实存在很大的瞬间电流，和容性负载很相似。
@all，今天板子到了，等器件到齐，跑跑波形看看。

sellen

sellen 发表于 2024-7-31 17:32
我设计用的MOS是这个：
https://item.szlcsc.com/19352211.html
（参数：耐压40V，电流80A，5.5mΩ@10V  ...

经过周末调整部分阻容，在简单测试完冷接、热接、热断以及输入升降压等等土法测试后，算是大功告成了：
图中波形2就是背对背MOS的栅极信号，可以看到是一个占空比逐步增加的满幅驱动信号，完全避免了电压逐步递增过程的MOS开关损耗。
由图所知，从第一个上升沿到完全高电平，耗费370毫秒（这个和电源有直接关系，是测试目的之一），非常理想！
负载是：5个24V21W的白炽灯、并联一个330uF35V的电解电容（手上找不到35V以上的大电解）。
电源使用一个160W（32V5A）的小开关电源，故意让它很吃力。

sellen

sln.1550 发表于 2024-7-31 14:18
开关损耗只有降低开关的电阻才能减少，预充电由于开关电阻大，所以损耗更大。
我同意4楼说的，MOS管会坏还 ...

MOS的开关损耗主要是驱动信号上升过程和下降过程造成的，当然了也可以理解等同它在这个过程是一个可变电阻。
事实上我们能够做的就是改善驱动信号，让它尽可能减少过渡的时间。

HGQ21102

sellen 发表于 2024-8-4 21:10
经过周末调整部分阻容，在简单测试完冷接、热接、热断以及输入升降压等等土法测试后，算是大功告成了：
...

330uF就是大容性负载？你加到560uF*10再试试

3AG1

國龍 发表于 2024-7-31 15:23
三哥请教一下，如何制作一组600V/300A，MOS高端的电子开关。

高端控制的电子开关，低压可以使用PMOS ，高压大电流只能用高耐压的NMOS 场管，而且需要很多只并联使用，尽量减小开关损耗。

由于使用NMOS 场管，就需要有一个隔离型DC-DC 降压电源，把600V 高电压降至12 ~ 20V 间，用于驱动NMOS 场管。

当需要打开电子开关时，首先DC-DC 降压电源开始工作，经过短暂延时后，当辅助电源稳定后接通NMOS 场管。
关闭电子开关时 ，先断开NMOS 场管的控制电压，然后再断开DC-DC 降压电源。

接通或断开NMOS 场管，速度要快，一般会用到施密特触发器。

每只NMOS 场管的G 极就近要串联一只几十欧到几百欧的电阻，具体数值试验确定，防止开启后出现振荡。

370522650

逆变器mos防反接电路mos驱动一般是栅极电阻并联一个uf电容增加导通时间