请教3AG1锂电低于13V欠压保护问题

hhww8280

当电池组电压低于13V的时候，输出关闭，现在考虑用PMOS，电路图如下，请问3AG1这个电路有没有什么问题：我觉得应该可以。。
1，Vbat>13V时候，经过电阻分压的V_ref>2.5V,则 PMOS的 Vg=2.5V，PMOS导通。2，Vbat<13V时候， Vref<2.5V，Vg=Vbat,PMOS截止。
我的分析对不对？

hhww8280

R2和R?是分压的，当分压值大于2.5V时候，Q1的G级会变成2.5V，则PMOS关断。不知道我这样的理解有没有问题？

hhww8280

大神呢，哪去了？

lddsn

hhww8280 发表于 2015-6-6 16:26
R2和R?是分压的，当分压值大于2.5V时候，Q1的G级会变成2.5V，则PMOS关断。不知道我这样的理解有没有问题？

理论上分压值Vref>2.5v时R1两端有接近于V_bat电压，所以PMOS导通，反之PMOS截止

3AG1

hhww8280 发表于 2015-6-6 16:26
R2和R?是分压的，当分压值大于2.5V时候，Q1的G级会变成2.5V，则PMOS关断。不知道我这样的理解有没有问题？

R2/R3的分压值大于2.5V时候，TL431会饱和导通，压降一般小于2V。
Q1的GS极间电压是输入电压去掉TL431饱和压降后的电压。

“Q1的G级会变成2.5V，则PMOS关断。不知道我这样的理解有没有问题？”
R2/R3的分压值低于2.5V时候，TL431会截止，Q1的GS极间电压接近0V，所以PMOS关断。

3AG1

最好加上正反馈电阻，保护动作会比较迅速，不会拖泥带水。

hhww8280

3AG1 发表于 2015-6-6 17:29
R2/R3的分压值大于2.5V时候，TL431会饱和导通，压降一般小于2V。
Q1的GS极间电压是输入电压去掉TL431饱 ...

感谢大神指教！

hhww8280

3AG1 发表于 2015-6-6 17:35
最好加上正反馈电阻，保护动作会比较迅速，不会拖泥带水。

请问3AG1大神，正反馈电阻是只什么，有类似的电路或者提示吗？再次感谢大神~

3AG1

hhww8280 发表于 2015-6-6 17:37
请问3AG1大神，正反馈电阻是只什么，有类似的电路或者提示吗？再次感谢大神~

看下这个帖子的16楼电路;
https://www.yleee.com.cn/thread-34714-1-1.html

R6就是正反馈电阻。

40560335

3AG1 发表于 2015-6-6 17:42
看下这个帖子的16楼电路;
https://www.yleee.com.cn/thread-34714-1-1.html

学习了！~