P沟道的MOS管，把G极接地还有隔离进出电压的作用吗？

BG4RFF · 发表于 2017-6-4 08:58

楼主就是想要用PMOS做个防反接

BG4RFF · 发表于 2017-6-4 09:01

估计是这个意思

ww5223017240 · 发表于 2017-6-4 10:57

BG4RFF 发表于 2017-6-4 09:01
估计是这个意思

差不多，不过不是用来充电，只是带负载而已，不知道需不需要防反灌

BG4RFF · 发表于 2017-6-4 21:28

负载有防电源反接的吧

snoopy8008 · 发表于 2017-6-5 08:39

ww5223017240 发表于 2017-6-3 22:22
谢谢，再问下那要防止倒灌的话需要用什么？

我也不知道。不想要压差，应该是简单不了的。

左江农民 · 发表于 2017-6-5 22:48

ww5223017240 发表于 2017-6-4 10:57
差不多，不过不是用来充电，只是带负载而已，不知道需不需要防反灌

带负载干嘛不用N沟道场效应管？

ww5223017240 · 发表于 2017-6-6 11:01

左江农民发表于 2017-6-5 22:48
带负载干嘛不用N沟道场效应管？

12V入12V出，用N沟道不行吧，至少直接不行，要转换，P沟道直接可以

370522650 · 发表于 2017-6-10 13:47

一般用Nmos做防反接d接地

wulishui · 发表于 2017-6-10 20:26

你这样能做成我也不用苦苦研究了半个月之久，你可以翻翻我的帖子，各种设想我都尝试了。最经济方案就是比较器加MOS，但电路复杂。最简单是LT4412，但价格昂贵，而且很痛苦的是我进了一批才去看datasheet它的起控压差是20mV，低阻MOS需要非常大的电流才会起控，不然就会振荡，我没有进到适合内阻的MOS，结果板子又要改。。。

wulishui · 发表于 2017-6-10 20:27

370522650 发表于 2017-6-10 13:47
一般用Nmos做防反接d接地

注意，防反接和防倒灌是两码事，两种绝不能混用了

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