过压、欠压、反接保护电路

sellen

现在国产MOS的性能都非常强大。如果集成方案能成，意味着负载功率可以进一步加大，这就相当于找到一款理想的电源输入保护方案了。

研究到这里，对于搞变频器设计那帮大神，真实佩服是厉害。

发布：《Livewire 1.3商业版安装文件，没有安装系列号》，寻找有缘人。
https://www.yleee.com.cn/thread-92035-1-1.html

zhuaii3721

我只能说3AG牛逼！

3AG1

sellen 发表于 2024-5-26 12:45
也许在大电流负载情况下，用三极管驱动MOS或许是不太满足，三极管本身线性区太大了。
特别是电压缓慢变化时 ...

我使用三极管设计了一个过压、欠压、反接保护电路，经过实测效果不错：


输入电源电压高于22.65V 后电路导通，低于22.31V 后截止，输入电压超过25.6V 后保护关闭输出。
导通和关闭很迅速，不会拖泥带水。
更新一下电路图：
原图中R6 标注错误，应该使用1K 电阻。
两个场管也应该S 极相连。

3AG1

电路还可以简化一下，上面电路里的Q6 、Q7 可以去掉不用：



更新一下电路图：
原图中R6 标注错误，应该使用1K 电阻。
两个场管也应该S 极相连。

lyslbf

3AG1 发表于 2024-5-29 21:01
电路还可以简化一下，上面电路里的Q6 、Q7 可以去掉不用：

不错的电路

sellen

3AG1 发表于 2024-5-29 21:01
电路还可以简化一下，上面电路里的Q6 、Q7 可以去掉不用：

我对老师的上面电路有两个不明之处：
1、R6用了100欧姆这么小的上拉电阻，应该是强上拉了，这时候Q1的b极无法被Q2通过R7所控制了吧。
所以Q1几乎是不能导通的？
我倒觉得如图这个位置非常适合，当然还要细调下电流功耗。
2、Q4和Q5是面对面的NMOS，不太明白D5和R11的作用。我反而犹豫，D5和R11在反压输入时，Q4的栅源会不会烧掉？如图。
欢迎三阿哥老师再指点下。

3AG1

sellen 发表于 2024-6-18 15:47
我对老师的上面电路有两个不明之处：
1、R6用了100欧姆这么小的上拉电阻，应该是强上拉了，这时候Q1的b极 ...

1. 查了下实验记录，R6  标注错了，应该是1K 电阻。

2. Q1 截止时，D5和R11 给Q5 的GS 结放电，让Q5 快速截止。
反向输入时，电压超过Q4 的GS 结耐压，确实会有可能烧毁Q4 。

3AG1

13、14 楼电路图已经更新。

sellen

谢谢三阿哥老师

fffewww1111

谢谢，学习学习