三阿哥在吗，请教如何用PMOS做可调电源开关

jigsaw

hotdll 发表于 2013-12-5 11:59
用NMOS吧。原件一下子减少1半。

NMOS 得低边驱动吧，不是很安全的样子
元件也不见得能减少几个

hotdll

jigsaw 发表于 2013-12-5 12:02
NMOS 得低边驱动吧，不是很安全的样子
元件也不见得能减少几个

低边为什么不安全？都是低电压器件。

NMOS做高边驱动要求G端电压比较高（因为要大于out才可以使VGS大于开启电压），你这个是可调电源，VGS就不是问题，从稳压前级串一个10K-100K的电阻引过来到G就可以保证任何时刻导通。关键是NMOS的导通电阻远小于PMOS。

然后G极用一个NPN三极管就可以满足你的要求了。OC高电平 电路关断，低电平电路开启。

相比你的PMOS，省了2个三极管和周边电路，省了一个-5V电源。当然如果你的-5V电源是本来就有的，并且是固定输出，然后不在意PMOS的那点损耗，PMOS也可以

jigsaw

hotdll 发表于 2013-12-5 12:29
低边为什么不安全？都是低电压器件。

NMOS做高边驱动要求G端电压比较高（因为要大于out才可以使VGS大 ...

稳压前24V，低压输出时Vgs接近极限电压，不安全。 我是用来过流保护切断输出的，单纯为了导通当然不需要这么多元件。另外没有听过NMOS导通电阻远小于PMOS这样的说法，我打算用FDD637， rds=12mOHm @ Vgs=-10V。你推荐一款NMOS看看？

apachectl

我的新电源的思路实际上也是因为这个问题现在停滞了，新的DP50想把锂电池的放电功能也做上，因此，需要高端用很多MOS管来控制充电、放电，（因为要检测电压，因此低端控制不能用），但是实在不想用那么多的小零件，能不能利用类似Lm324这类的便宜运放，运放输入接+23V，地接-5V，然后用电压比较器用于将单片机的CMOS电平转换为+23或-5V 驱动MOS，省掉一大堆分立元件，不知可行否；请大家讨论下

需要控制多路

hotdll

jigsaw 发表于 2013-12-5 13:06
稳压前24V，低压输出时Vgs接近极限电压，不安全。 我是用来过流保护切断输出的，单纯为了导通当然不需要 ...

4410的管子能满足你的要求，如果要求内阻更小，输出更大电流比如10A推荐下面这个：
IRF831 内阻3毫欧，UGS 12V  。
基本上都满足你的要求，两个都是8脚贴片MOS，塑封，不存在你说的金属短路。


PS，你要做过流检测的话，完全可以用低边驱动啊， MOS的UDS电压可以作为过流采样电压啊。 不过因为内阻太小，采样精度要求比较，精确采样需要uV级运放，不过358如果补偿输入失调电压，也可以用。3毫欧内阻就算大电流下6毫欧的内阻，10A电流才60毫伏的压降。

apachectl

这样用云放呢

hotdll

jigsaw 发表于 2013-12-5 13:06
稳压前24V，低压输出时Vgs接近极限电压，不安全。 我是用来过流保护切断输出的，单纯为了导通当然不需要 ...

你喜欢用点评，点评是没法回复你的。

你就是用PMOS，VGS也一样会出现接近极限电压， 你是用稳压二极管限制电压。而NMOS如果低边驱动的话，是不会出现VGS接近极限电压的。

另外没明白啥叫正极输出。。金属外壳好像和过流保护也没啥关系。不过既然你喜欢用PMOS，，，，那就用吧。

PS：基本上大部分锂电池短路保护都是利用NMOS的Rds内阻做过流检测电阻。我不明白你怎么会说短路的时候保护电路来不及启动？如果真如你说。。。锂电池还敢卖不？

jigsaw

hotdll 发表于 2013-12-5 20:01
你喜欢用点评，点评是没法回复你的。

你就是用PMOS，VGS也一样会出现接近极限电压， 你是用稳压二极管 ...

这就是高端取样和低端取样的区别

hotdll

jigsaw 发表于 2013-12-5 20:06
这就是高端取样和低端取样的区别

原理都一样，没啥区别。只是个建议。

就算用NMOS做高边驱动，一样可以用稳压二极管限制VGS的电压。

另外，金属外壳接地是接大地，接地规范没有强制让 输出负极和大地连接。

我测过很多电源，有的地线和输出负极是相连的，有的是不连的。都是成熟的产品。

hotdll

apachectl 发表于 2013-12-5 16:12
这样用云放呢

我建议你用斯密特触发电路翻转。