三阿哥在吗，请教如何用PMOS做可调电源开关

3AG1 · 发表于 2013-12-7 14:45

apachectl 发表于 2013-12-6 22:31
用Vds 为-30V 的，Vgs 是正负25V的mos管，是否可省那3个零件，否则和三极管的零件个数一样，不如用三 ...

如果你有这种高击穿电压PMOS场管，可以省略那3个零件，用LM358或LM324直接驱动。要注意GS导通电压的选择。

apachectl · 发表于 2013-12-7 15:34

3AG1 发表于 2013-12-7 14:45
如果你有这种高击穿电压PMOS场管，可以省略那3个零件，用LM358或LM324直接驱动。要注意GS导通电压的选择 ...

多谢，DP50新版本就因这个问题，烧了几片MCU，MOS电压和MCU电压不匹配，而STM32开漏输出模式下，IO管脚也不能超5.5V，否则烧MCU

3AG1 · 发表于 2013-12-8 21:52

apachectl 发表于 2013-12-7 15:34
多谢，DP50新版本就因这个问题，烧了几片MCU，MOS电压和MCU电压不匹配，而STM32开漏输出模式下，IO管脚也 ...

不太明白您是怎么连接的，怎么会烧坏？
用运放直接驱动PMOS最好加上保护电阻，G极串接一个1K以上的电阻即可。场管耐压不够击穿了也不会损坏太多零件，避免烧坏其他相关零件。

apachectl · 发表于 2013-12-9 13:31

3AG1 发表于 2013-12-8 21:52
不太明白您是怎么连接的，怎么会烧坏？
用运放直接驱动PMOS最好加上保护电阻，G极串接一个1K以上的电阻 ...

设置成MOS管开漏模式，就是电源正极(前提是>5V)的PMOS，G端通过电阻上拉，单片机IO腿直接接G，当IO输出为高阻的时候，PMOS关断；
当需要导通的时候，只需要单片机给一个0V左右的电压将电流吸入，PMOS就可以导通了；

理论是对的，只是单片机IO只能承受5.5V电压，于是高阻状态下，也把单片机的IO给烧了，估计是前端2个钳位二极管烧通了

3AG1 · 发表于 2013-12-9 21:41

apachectl 发表于 2013-12-9 13:31
设置成MOS管开漏模式，就是电源正极(前提是>5V)的PMOS，G端通过电阻上拉，单片机IO腿直接接G，当IO输出 ...

PMOS 的输入电压是多少？
也是5V吗？按说5V电压不应该出现这种问题，只有输入电压达到一定值，内部的稳压管击穿才会烧单片机。

apachectl · 发表于 2013-12-10 20:01

3AG1 发表于 2013-12-9 21:41
PMOS 的输入电压是多少？
也是5V吗？按说5V电压不应该出现这种问题，只有输入电压达到一定值，内部的稳 ...

到13V左右，本来设计的是给3S的锂电充电的

apachectl · 发表于 2013-12-10 20:05

就是这个搬运工电路。

apachectl · 发表于 2013-12-10 20:13

搬运工电路，就是用MOS管轮流都通每S的电池到中间电容上，让一组电池的电量平衡；第一次使用PMOS，烧了MCU；于是改成LM324驱动NMOS（8205），板子都打样出来了，结果发现，8205的VGS电压只支持正负10V，没有设计稳压管环节提压，结果这次打样又废了，连开包都没有，直接垃圾箱
此贴，学了不少东西，呵呵

apachectl · 发表于 2013-12-10 20:14

搬运工电路，就是用MOS管轮流都通每S的电池到中间电容上，让一组电池的电量平衡；第一次使用PMOS，烧了MCU；于是改成LM324驱动NMOS（8205），板子都打样出来了，结果发现，8205的VGS电压只支持正负10V，没有设计稳压管环节提压，结果这次打样又废了，连开包都没有，直接垃圾箱
此贴，学了不少东西，呵呵

apachectl · 发表于 2013-12-10 20:15

搬运工电路，就是用MOS管轮流都通每S的电池到中间电容上，让一组电池的电量平衡；第一次使用PMOS，烧了MCU；于是改成LM324驱动NMOS（8205），板子都打样出来了，结果发现，8205的VGS电压只支持正负10V，没有设计稳压管环节提压，结果这次打样又废了，连开包都没有，直接垃圾箱
此贴，学了不少东西，呵呵

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