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一个过压欠压反接保护电路,总是烧其中一个MOS,非常奇怪

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发表于 2024-5-20 22:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 sellen 于 2024-5-20 23:24 编辑

2024-05-20_21-59-31.jpg
这个电路改自:http://www.kiaic.com/article/detail/3319.html
因为我觉得原电路栅极驱动电压不够。
但发现测试带载时,只要电压升到欠压阈值以上,画圈的MOS就出现S和D击穿了。
1、MOS耐压30V,最大电流50A,Vgs最大20V,烧了。
2、MOS耐压40V,最大电流60A,Vgs最大20V,也烧。
 楼主| 发表于 2024-5-20 22:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 sellen 于 2024-5-20 22:28 编辑

请各路大神帮忙诊断下,没想到这么简单的电路,都碰了个钉子

点评

很明显由Q1 、Q2 组成的欠压保护电路开启速度不够快造成的,右边的场管导通缓慢,功耗过大烧毁了。 这个电路用在小电流负载场合还可以,大电流负载就不适合了,电路必须加上正反馈,导通或截止都要很快速才可以。  详情 回复 发表于 2024-5-23 19:40
发表于 2024-5-22 11:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 HGQ21102 于 2024-5-22 11:51 编辑

我用大神三哥的电路,功能正常:https://www.yleee.com.cn/thread-34714-5-1.html俺是小白,要不你试试增加多一个电阻
企业微信截图_17163498459632.png
发表于 2024-5-23 19:40 | 显示全部楼层
sellen 发表于 2024-5-20 22:09
请各路大神帮忙诊断下,没想到这么简单的电路,都碰了个钉子
但发现测试带载时,只要电压升到欠压阈值以上,画圈的MOS就出现S和D击穿了。

很明显由Q1 、Q2 组成的欠压保护电路开启速度不够快造成的,右边的场管导通缓慢,功耗过大烧毁了。
这个电路用在小电流负载场合还可以,大电流负载就不适合了,电路必须加上正反馈,导通或截止都要很快速才可以。

点评

24V5A左右的负载。  详情 回复 发表于 2024-5-24 19:31
我也怀疑这个原因,改用专业集成芯片方案了,明晚打样出来测试。感谢三阿哥,回头赠送你一个Livewire1.3pro版本。  详情 回复 发表于 2024-5-24 19:30
 楼主| 发表于 2024-5-24 19:30 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2024-5-23 19:40
很明显由Q1 、Q2 组成的欠压保护电路开启速度不够快造成的,右边的场管导通缓慢,功耗过大烧毁了。
这个 ...

我也怀疑这个原因,改用专业集成芯片方案了,明晚打样出来测试。感谢三阿哥,回头赠送你一个Livewire1.3pro版本。

 楼主| 发表于 2024-5-24 19:31 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2024-5-23 19:40
很明显由Q1 、Q2 组成的欠压保护电路开启速度不够快造成的,右边的场管导通缓慢,功耗过大烧毁了。
这个 ...

24V5A左右的负载。

点评

刚才我实测了个电路,在这里: https://www.yleee.com.cn/thread-92033-1-1.html 你可以参考一下。  详情 回复 发表于 2024-5-24 22:26
发表于 2024-5-24 22:26 | 显示全部楼层
sellen 发表于 2024-5-24 19:31
24V5A左右的负载。

刚才我实测了个电路,在这里:
https://www.yleee.com.cn/thread-92033-1-1.html


你可以参考一下。

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