过压、欠压、反接保护电路

3AG1

sellen 做一个过压、欠压、反接保护电路时，总烧场管：

删除 回复 sellen 2024-5-20 22:37
好久没请教老师您了。
敬请三阿哥帮忙看看：
https://www.yleee.com.cn/thread-92026-1-1.html

感觉是Q1 、Q2 组成的欠压保护电路开启速度不够快造成的，右边的场管导通缓慢，功耗过大烧毁了。
电路缺少正反馈，导通和截止的速度不够快造成的。

3AG1

今天晚上没事，刚才画了个图，搭了个电路进行测试，效果还是不错的，电路翻转速度很快。


实测电源电压低于22.13V 后电路截止，高于22.47V 后导通。超过25V 后电路过压保护，电路关闭。

3AG1

如果场管的结电容较大，还可以增加三极管驱动级，进一步加快场管的GS 结充电、放电速度：



实测电源电压低于21.30V 后电路截止。高于21.67V 后导通，超过25.6V 后过压保护而关闭。

sellen

好的，非常感谢，这两天有空我试试。

sellen

今晚继续折腾原来的电路图，把栅极驱动电路的电阻降低至510欧，算了下电阻和稳压保护管的功耗已经是极限甚至超了。
在1A左右负载不烧了，结果加大负载，仍然烧（旋钮稳压电源输出电压提升慢，但这恰恰就想测试的）
再看了下三阿哥的电路，有个很大区别就是：三阿哥电路看起来好像没有栅极保护啊……
这样子就得选用栅极电压在30V以上的MOS了，这个选择性就很少了。
我的电路如果没有栅极保护，也可以进一步加快。

sellen

也许在大电流负载情况下，用三极管驱动MOS或许是不太满足，三极管本身线性区太大了。
特别是电压缓慢变化时，可能真的要比较器才够果断。

sellen

问题就是出在：三极管切换不干脆，并且最大驱动电流也就200mA，导致MOS在过渡区太久，热功耗烧毁。

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sellen 发表于 2024-5-26 00:42
今晚继续折腾原来的电路图，把栅极驱动电路的电阻降低至510欧，算了下电阻和稳压保护管的功耗已经是极限甚 ...

没必要用栅极电压在30V 以上的NMOS ，电源电压高于26V 就已经处于关闭状态了。

Vgs最大耐压20V，假设最高电压26V ，经过 LED1 后的电压再经过R9/R10 分压，加到场管GS 结的电压低于20V ，可以不用保护稳压管。


3 楼电路加上了限压保护稳压管，D4 和 LED1 串联，端电压大概在14V，Q3 发射极输出电压13V 多点，也在安全使用范围内。

3AG1

sellen 发表于 2024-5-26 12:47
问题就是出在：三极管切换不干脆，并且最大驱动电流也就200mA，导致MOS在过渡区太久，热功耗烧毁。 ...

1 楼电路不是输出电流的问题，主要还是开关速度太慢。

使用三极管做电压监测电路也不是不能用，必须使用有正反馈的施密特触发器，你现在实验的这个电路肯定不行，只适合小负载电流场合使用。

sellen

好的，太感谢三阿哥老师指点了。
明天拿到新板子，是集成方案，成本也还可以不到5块钱，如果满足这么大功率使用，还是值得的。
按照TI的demo板子设计的，也就用了3*3封装的MOS，其他都没啥大变化。
不知道会不会又出岔子，到时分享之。