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楼主: 3AG1
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[3AG1电路集锦] 单按键电子开关

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发表于 2014-5-30 14:22 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2014-5-30 13:44
价格便宜,还要PCB面积小,单键电子开关那就用分立件做吧,比用CMOS电路要便宜得多,零件也不是很多。
...

三哥,像R1、R2之类的电阻电容贴片封装用多大的比较合适?0603封装的额定功率是1/10W  0805封装的额定功率是1/8W,总电压是7.5V,最大通过电流是1.5A~2A,感觉好像都承受不起啊
 楼主| 发表于 2014-5-31 12:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 3AG1 于 2014-5-31 12:45 编辑
枫飞 发表于 2014-5-30 14:22
三哥,像R1、R2之类的电阻电容贴片封装用多大的比较合适?0603封装的额定功率是1/10W  0805封装的额定功 ...


电阻的功率基本不用考虑,开关关闭状态实际功耗非常低,R1、R2通过的电流不超过8uA。开关导通状态R1的电流小于0.4mA,功耗小于30mW。

主要考虑PMOS场管的导通电阻,只要足够小就可以了。
发表于 2014-5-31 20:21 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2014-5-30 13:44
价格便宜,还要PCB面积小,单键电子开关那就用分立件做吧,比用CMOS电路要便宜得多,零件也不是很多。
...

三哥,这个电路我仔细分析了下,Q1的pmos场管作用是相当于一个开关,控制电源导通或断开,但是Q2NPN三极管的作用是什么?电路的整个工作过程分析如下:上电初始,Q1栅极为高电平,pmos场管截止。R1的作用是限流。通过R2给C1充电。当C1电量充到一定程度,按下开关,电容C1放电,因为上下压差减小,此时Q1栅极为低电平,pmos场管导通,后级负载得电。R4的作用也是限流,通过R5给C2充电。当C2电量充到一定程度,按下开关,电容C2放电,此时就可能有两种情况:1 C1、C2同时放电。2  C1充电,C2放电。这就不知道该怎么分析了。求解???当第2种情况时,会使C1、C2的电量抵消。Q1栅极为高电平。pmos场管截止。然后状态不断重复。还有个问题,就是如果我一上电就按开关,不给电容充电或放电的时间,会导致什么结果???是否能立刻导通?
 楼主| 发表于 2014-6-1 14:56 | 显示全部楼层
枫飞 发表于 2014-5-31 20:21
三哥,这个电路我仔细分析了下,Q1的pmos场管作用是相当于一个开关,控制电源导通或断开,但是Q2NPN三极 ...

387楼里R1 的作用不是限流,它的主要作用是给Q1提供偏置电压。

电路上电初时,C1端电压不能突变,可以认为短路,此时7.5V电源通过R1 、R2给C1 充电,很短时间就可以把C1充到接近电源电压。由于R1/R2的比值很小,R1上的电压降很小,不足以使Q1导通,所以上电后电子开关处于截止关闭状态。

按下AN 后,C1 上的电荷通过R5、R3 和Q2的be结放电,Q2趋于导通,集电极电压降低,Q1导通,并通过R4 、R5正反馈加速Q2导通,很短时间内电子开关完全导通。C2用来滤除干扰信号,防止外界电磁干扰误触发,由于C1 、C2容量相差很大,可以忽略对C1放电的影响。实际上不加C2电路也可以正常工作,轻触按键连接线很短时可以不用。

Q2导通后,集电极电位接近0V,C1 通过R2、Q2的ce放电,很快就会放光所存电荷,此时如果按下AN,Q2基极电位被拉低,Q2截止,集电极电位升高,Q1的GS结电压不足以使Q1导通,PMOS场管截止,电子开关关闭。

如果上电前就一直按下AN,上电后电路不会启动,会一直处于关闭状态。
发表于 2014-6-2 17:51 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2014-6-1 14:56
387楼里R1 的作用不是限流,它的主要作用是给Q1提供偏置电压。

电路上电初时,C1端电压不能突变,可以 ...

三哥,针对你说的这个,我还有点问题想问下:
     1 把C1充到接近电源的电压的很短时间是多少?能把大概公式给我吗
     2 如果已经上电了,在没有把C1充到一定量就按下开关,会出现什么情况?是不是就没反应了?
     3 是不是不管C1中电量有多少,刚上电是C1都是在充电啊?充到一定情况就自动停止充电?如果我上电后,在很久之后,比如说一两个小时后都没有去按下AN,电容C1不会损坏吗?
     4 如果C1放光所有电荷,但我并没有按下AN,会出现什么情况?是否电子开关仍是导通的,仍在给后面负载供电?
     5 很短时间电子开关完全导通,这个时间大概多少?能将计算公式给我吗?
发表于 2014-6-3 09:57 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2014-5-30 13:46
PMOS场管最好用导通电阻小的,IRFR5505的导通电阻有点大。

请问PMOS导通电阻是不是越小越好,最大不能超过什么值比较合适?如果大了会造成什么后果?我是这样理解的:

mos工作在线性区:功耗P=UI,UI此时都比较大,P会很大,mos就会烧掉。这主要看所要用的电源的最大电压和加负载的最大电流情况,与导通电阻无关
mos工作在饱和区:功耗P=电流平方*导通电阻
所以假如我使用IRFR5505,输入电压7.5V,加入负载最大电流2A,线性时P=7.5*2=15W<57W;饱和时P=2*2*0.11=0.44W;
所以感觉导通电阻满足要求。请问是不是我哪理解错了?
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发表于 2014-6-3 10:42 | 显示全部楼层
3AG1 发表于 2014-5-30 13:44
价格便宜,还要PCB面积小,单键电子开关那就用分立件做吧,比用CMOS电路要便宜得多,零件也不是很多。
...

D1为什么要用个肖特基二极管呢?是用来起保护作用还是其整流作用?如果是保护的话是不是可以用稳压管代替或直接省略?如果是整流的话,整流电路是利用二极管的单向导电性将正负变化的交流电压变为单向脉动电压的电路。此处直接接的直流电压7.5V,不存在交流电压的情况呀?
 楼主| 发表于 2014-6-3 11:14 | 显示全部楼层
枫飞 发表于 2014-6-2 17:51
三哥,针对你说的这个,我还有点问题想问下:
     1 把C1充到接近电源的电压的很短时间是多少?能把大 ...

1 把C1充到接近电源的电压的很短时间是多少?能把大概公式给我吗?
RC电路的时间常数t(读音“套”,不是小写的t,类似t不出头,没找到这个字母)是RC的乘积,一般3t就可以认为充满了,时间约300ms。
对于上面387楼电路,并不需要C1充满,只要能够使Q2可靠导通即可,所以几十毫秒的时间就可以满足电路开启的要求。
我没有公式,从来没关心过这类纯理论性的东西,你想要公式可以去翻课本或到网上去搜。

2 如果已经上电了,在没有把C1充到一定量就按下开关,会出现什么情况?是不是就没反应了?
不知道你说的“把C1充到一定量”是什么,在C1上的电压不能使Q2导通前,按下开关电路不会开启,与你上面393楼所说的开机前就按下开关是一个性质。

3 是不是不管C1中电量有多少,刚上电是C1都是在充电啊?充到一定情况就自动停止充电?如果我上电后,在很久之后,比如说一两个小时后都没有去按下AN,电容C1不会损坏吗?
在C1已经满电时,上电后不充电,只是这种情况几乎不存在。
充满后肯定会自动停止。
电容充满电后,还没遇到过会充坏的情况,电容不是锂电池。现在有机薄膜电容或独石电容的耐压一般不低于50V,7.5V电压下击穿损坏的可能性比天上掉馅饼还小。

4 如果C1放光所有电荷,但我并没有按下AN,会出现什么情况?是否电子开关仍是导通的,仍在给后面负载供电?
你不按下AN,就会保持之前的状态。
电子开关导通状态下C1处于放电状态,电路接通电源并正常工作条件下,会给负载供电。

5 很短时间电子开关完全导通,这个时间大概多少?能将计算公式给我吗?
这个时间大概多少我不知道,与晶体管的性能有关,应该在us级以内吧。
我没有公式给你。


 楼主| 发表于 2014-6-3 11:20 | 显示全部楼层
让我一个业余玩家回答你的这些问题,很让我费脑细胞啊!

只能尽力回复了,这些东西应该在教科书里都有吧?像我这种没有正规学过电子技术、从没看过教科书的回答这类问题不敢保证回答正确。
 楼主| 发表于 2014-6-3 11:26 | 显示全部楼层
枫飞 发表于 2014-6-3 09:57
请问PMOS导通电阻是不是越小越好,最大不能超过什么值比较合适?如果大了会造成什么后果?我是这样理解的 ...

PMOS导通电阻越小损耗越低,0.11欧导通电阻通过2A电流,压降就是0.22V,功耗0.44W。

如果你不在乎这点压降,用IRFR5505也可以。

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