三阿哥在吗，请教如何用PMOS做可调电源开关

apachectl

hotdll 发表于 2013-12-5 20:18
我建议你用斯密特触发电路翻转。

不是翻转，只是需要一个CMOS电平到MOS管可以用的电平翻译电路，元件越少越好

apachectl

hotdll 发表于 2013-12-5 20:09
原理都一样，没啥区别。只是个建议。

就算用NMOS做高边驱动，一样可以用稳压二极管限制VGS的电压。

低端控制很简单，但是在锂电池充电的模式中，需要每10s，切断一下电源，同时量此时锂电池电压，如果是Nmos切断后，电压就没法量了，PMOS切断就很好量

3AG1

apachectl 发表于 2013-12-5 16:12
这样用云放呢

输出端应该加上过压保护。

用运放虽然可以实现PMOS控制，但在这里还是用比较器较好。

3AG1

apachectl 发表于 2013-12-5 20:21
不是翻转，只是需要一个CMOS电平到MOS管可以用的电平翻译电路，元件越少越好

画了张图，用常见的LM393、LM339控制PMOS开关：

apachectl

3AG1 发表于 2013-12-6 14:20
画了张图，用常见的LM393、LM339控制PMOS开关：

模拟电路一团糟，碰见3阿哥，得好好问问，能不能给分析下R4 R5 D1 如何保护的；

apachectl

我是说，用-30v和+-25v的mos，两头电压都在mos可承受范围内，这几个器件是否可省

jigsaw

apachectl 发表于 2013-12-6 15:56
模拟电路一团糟，碰见3阿哥，得好好问问，能不能给分析下R4 R5 D1 如何保护的；

D1是为了保护Vgs不超Vgsmax
R4是为了给比较器限流
R5是为了拉高切断PMOS输出用的

不知道这样说对不对


这个图比我那个更简单，我也想改用这个了

apachectl

jigsaw 发表于 2013-12-6 21:25
D1是为了保护Vgs不超Vgsmax
R4是为了给比较器限流
R5是为了拉高切断PMOS输出用的

用Vds 为-30V 的 ，Vgs 是正负25V的mos管，是否可省那3个零件，否则和三极管的零件个数一样，不如用三极管的
俺的板子实在没地方安这些零件

金三源

三哥是谁啊？

3AG1

apachectl 发表于 2013-12-6 18:19
我是说，用-30v和+-25v的mos，两头电压都在mos可承受范围内，这几个器件是否可省

下面37楼 jigsaw 已经解释了。

大部分MOS场管的GS极限电压在正负20V，使用的时候尽量不要超过此值。
有些低导通电压低导通电阻的场管VGS只有+/-12V，所以保护稳压管一般选用12V就可以满足大部分场管。

如果你能找到GS电压值较高的场管，也可以不用保护稳压管。其实有些场管的内部已经有保护稳压管，比如上面图中的TPC8107，使用这类场管就可以省掉外接的保护管。