电源输入高、低压截止保护电路

1413399367 · 发表于 2023-11-28 12:29

本帖最后由 1413399367 于 2023-11-28 19:04 编辑

请教一下，
如何用TL431和NMOS (A2SHB)做4.2V过压截止保护？
如何用TL431和NMOS (8N60)做5V并联稳压电路？

3AG1 · 发表于 2023-11-28 22:05

1413399367 发表于 2023-11-28 12:29
请教一下，
如何用TL431和NMOS (A2SHB)做4.2V过压截止保护？
如何用TL431和NMOS (8N60)做5V并联稳压电路？

就用1 楼举例，换成NMOS 场管后电路修改如下：

电源输入高、低压截止保护电路 .GIF

过压保护阈值由R1 / R2 决定，低电压保护阈值由R3 / R4 决定。

3AG1 · 发表于 2023-11-28 22:07

本帖最后由 3AG1 于 2023-11-29 11:07 编辑

如何用TL431和NMOS (8N60)做5V并联稳压电路？

1413399367 · 发表于 2023-11-29 12:31

3AG1 发表于 2023-11-28 22:07

如果不加R5这个电阻，这个电路不能正常工作吗？
之前我用三极管做的并联稳压电路就没有加这个电阻，就是PNP三极管的B极直接接到431的K端，用到现在也正常，三极管的基极电流会根据集电极电流自动调整，基极电流也没超过100mA，感觉不限流也没事。

3AG1 · 发表于 2023-11-29 14:21

1413399367 发表于 2023-11-29 12:31
如果不加R5这个电阻，这个电路不能正常工作吗？
之前我用三极管做的并联稳压电路就没有加这个电阻，就是P ...

不加R5这个电阻，这个电路也能正常工作，加上就是为了可靠性更高，R5 限制了TL431 和Q1 的导通电流。

1413399367 · 发表于 2023-12-4 20:17

3AG1 发表于 2023-11-28 22:05
就用1 楼举例，换成NMOS 场管后电路修改如下：

如果不需要低压保护，只要过压保护，并加入一点点回差，应该怎么改？

3AG1 · 发表于 2023-12-5 13:10

1413399367 发表于 2023-12-4 20:17
如果不需要低压保护，只要过压保护，并加入一点点回差，应该怎么改？

并加入一点点回差

你说的这个“一点点回差” 具体值有多大？

3AG1 · 发表于 2023-12-5 13:17

使用TL431 和NMOS 场管制作输入电压超过4.2V 后，电路截止保护，可以这样做：

电源输入过压截止保护电路 .GIF

锂电池的电压一般不要超过4.3V ，这个电路回差电压大概在几十毫伏吧，你可以通过改变R6 的阻值调整。
C1 用来滤除电源里的干扰脉冲，如果电源比较干净，可以去掉不用，还可提高电路的响应速度。

1413399367 · 发表于 2023-12-5 14:45

3AG1 发表于 2023-12-5 13:10
你说的这个“一点点回差” 具体值有多大？

加入一点点回差，主要是想防止输入电压接近临界点时，管子工作在放大区。只是不清楚TL431当作比较器用，在达到临界点时是否能可靠翻转。如果TL431本身就可以可靠翻转，那不加这个回差也行，这样电路应该还可以再简化一点。

3AG1 · 发表于 2023-12-6 13:05

1413399367 发表于 2023-12-5 14:45
加入一点点回差，主要是想防止输入电压接近临界点时，管子工作在放大区。只是不清楚TL431当作比较器用， ...

不加回差，在临界点会有抖动。

要想电路简单，最好使用PMOS 场管：

电源输入过压截止保护电路-1.GIF

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