低压下，达林顿管真是垃圾！

已空

最近看到网上有太酸锂电池，说的性能不错，尤其是低温和快速充电性能有吸引力，于是买了点，所以想做个电池保护板。
因为单体电压低（1.6到2.8伏），还真遇到不少问题。如题头：低压下，达林顿管太垃圾了，空口无凭，测试为证！
管子：TIP122 ，TO-220封装，电源：12.85V10Ah电瓶，2欧姆10W3个串联（为了限流2A），基极电流是可调恒流源，1.3mA到400mA可调。结果是：基极电流150mA，Vces=0.85伏，电流忘了调小，直接接上去，就这样。实际此时电源电压12.63伏，12.63－0.85＝11.78伏，11.78÷6＝1.9633A。2安培稍微不到一点，但是肯定已经深度饱和了。这时管子的功率损耗是 0.85×1.9633＝1.6688瓦特。低压下，0.85伏的饱和电压也太高了，管耗也偏大。
也测了一下临界饱和点，约在基极电流1.6mA，Vces=1.063伏，直流放大倍数约有1200倍。虽然小电流来控制大电流，近1伏的管压降也太大了，高压情况可以接受，在低压下根本不能用。
为什么说它是垃圾呢？请往下看：
随便拿了个3DD15的铁壳管，最普通的那种，直流放大倍数大约也就约40倍，调基极电流使它饱和，当调到69mA时，Vces就已经是0.65伏了，算了一下直流放大倍数也就29倍的样子；加大基极电流，还能降低Vces，但是我测试了手头的6个3DD15，Vces没有低于0.55伏的。
可见，达林顿管的饱和压降，远远高于最普通的大功率晶体管！
顺便测试了手头现有的大功率晶体管（不含VMOS，因为不适合低压应用）的Vces：

yanjian

这种应用还是要MOS管,普通三极管饱和压降都不小

homay

对的，要用MOS管

huchao

用8205吧 多个并粘

donglele2005

楼主思路错了  还用MOS
管  我看过那个电池   容量很大
你可以用一个辅助电源用模拟电路监测电压或者单片机监测电压控制mos管不用电池本身能量
外挂18650辅助电源  这样就可以做到很低的导通内阻 而且静态能耗也非常低
不知道我说明白了吗
？

leoxeon

可否给个电池的链接看看？

locky_z

很正常，达林顿Vces至少等于两只管的Vces叠加呀

ayumi7

元器件本没有错    关键在于你怎么用它  

你不会是拿着菜刀 去砍树吧？

Johnwoo

这是达林顿的结构决定的呀，不能证明他垃圾。如果你追求低压降，你应该使用PMOS来做这个事儿。

已空

谢谢上面各位的关注。我觉得9楼回答的与我的想法很接近，是由其结构决定了饱和压降。
关于用VMOS管、单片机控制等等可能后面再说。先还是看看管子的情况吧：
3DD15C，Ib=101mA，Ic=1.912A，Vce=0.608伏；
3DD15B，      101mA，     1.961A，       0.363伏；
3DD03B，      101mA，     1.921A，       0.513伏；
2SC2922(大)，50mA，      1.965A，       0.251伏；
2SC5200，      50mA，      1.948A，       0.284伏；
2SC3858，      50mA，      1.961A，       0.303伏；
2SD882，        15mA，      1.920A，       0.423伏；
TIP122，         1.61mA，    1.826A，       1.057伏；5.01mA，1.86A，1.033伏；15mA，1.867A，1.022伏；
FMMT617(SOT-23)，3.3mA, 2.004A，     0.244伏   ！！！加大基极电流会更低一点。
看到了吧，居然还不如这颗与大米粒差不多大小的管子。