低压下，达林顿管真是垃圾！

autolog · 发表于 2015-11-10 15:45

哪天我用3V去驱动Vgs > 12 V的大功率MOS，如常见的IRF3205、P75NF75等，得出结论：低压下，MOS管真是垃圾

已空 · 发表于 2015-11-10 16:28

autolog 发表于 2015-11-10 15:45
哪天我用3V去驱动Vgs > 12 V的大功率MOS，如常见的IRF3205、P75NF75等，得出结论：低压下，MOS管真是垃圾

达林顿管低压下性能不好，是突出了其缺点，随口说是“垃圾”，不用那么认真吧？小兄弟搞得像要报仇似的。

benli · 发表于 2015-11-10 16:29

已空发表于 2015-11-10 11:55
是的。N型的MOS、VMOS导通内阻小，跨导大，制造容易，价格便宜，所以市场上多见。
比如：说小的 AO3400 ...

还有开启电压更低的管子，记得有2.5v下十几毫欧的，3400的导通电阻不算小的

benli · 发表于 2015-11-10 16:29

已空发表于 2015-11-10 12:21
看TIP122管子简单的内部电路就知道，不用试，肯定行！！！若打开前管的C极单独引出，接电源正极（当然串 ...

断开了就不叫达林顿了

已空 · 发表于 2015-11-11 08:38

benli 发表于 2015-11-10 16:29
断开了就不叫达林顿了

达林顿仅仅是个名称而已。其实，即便用在电压高一些的电路里面，这样的四线引出管，也能降低管耗（不用外加散热），提高效率。还能够扩展到低压应用，何乐而不为呢？

benli · 发表于 2015-11-11 21:05

已空发表于 2015-11-11 08:38
达林顿仅仅是个名称而已。其实，即便用在电压高一些的电路里面，这样的四线引出管，也能降低管耗（不用外 ...

在低压应用中论压降三极管对于MOS毫无优势，1A电流下MOS可以几十甚至几mv的压降
但是高压下MOS就没有优势了，高耐压的导通电阻也大，而高压三极管的Hfe太低，需要很大的驱动电流
于是出现了IGBT，结合了三极管压降低，MOS输入阻抗大的优点

已空 · 发表于 2015-11-12 02:10

要说电子电路的电压范围还真是很宽，极低压？低压，常压，高压，超高压，特高压，？？？象LVDS那样的低压差动驱动信号小于0.6伏，好像也是场管，只是普通市场上不会有单独这样的器件。
这样看来，如1.2伏，1.5伏，1.6伏等等只能够算常压。

zwxzj · 发表于 2015-11-12 08:59

自己做的10英寸的7段ED数码管，74LS48加ULN2003A驱动，美得很。

已空 · 发表于 2015-11-13 09:26

本帖最后由已空于 2015-11-13 09:32 编辑

zwxzj 发表于 2015-11-12 08:59
自己做的10英寸的7段ED数码管，74LS48加ULN2003A驱动，美得很。

兄弟，首先你不是低压应用。即便是这样，你这个用诸如FMMT617,或者很多型号的小场管的话，会减小很多发热量，性能提高明显。常压（5伏，6伏，9伏，12伏多见）、小功率（主要是小电流下）时应用达林顿是简单、方便。2安培以上电流应用问题就会突出出来。

zwxzj · 发表于 2015-11-13 14:20

已空发表于 2015-11-13 09:26
兄弟，首先你不是低压应用。即便是这样，你这个用诸如FMMT617,或者很多型号的小场管的话，会减 ...

物尽所用吧！根据电路需要选择适宜器件

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