低压下，达林顿管真是垃圾！

已空

低压单体电池保护控制电路，我是不会考虑用单片机的，尤其充电均衡同样不好解决（检测、保护容易）。我喜欢用硬件搭接独立的保护控制电路，可靠性更高。硅晶体管是很好的用武之地。
达林顿的使用简单，但是牺牲了部分性能。如果2个集电极分开引出线，就没有这个问题了。

w36066

楼主根本不了解达林顿管是怎么回事，达林顿的饱和压降必须是前一个三极管的BE压降加上后一个管的饱和压降。

w36066

集电极分开引出也没有用的，不信你试试。

benli

只能说楼主不了解管子特性，低压下要用低开启电压低gs（on）的管子，普通mos都难用

benli

yanjian 发表于 2015-11-3 17:40
这种应用还是要MOS管,普通三极管饱和压降都不小

还得低开启电压的mos

benli

Johnwoo 发表于 2015-11-4 13:39
这是达林顿的结构决定的呀，不能证明他垃圾。如果你追求低压降，你应该使用PMOS来做这个事儿。

实际上nmos性能要比p的好

已空

w36066 发表于 2015-11-6 02:10
楼主根本不了解达林顿管是怎么回事，达林顿的饱和压降必须是前一个三极管的BE压降加上后一个管的饱和压降。

这话说的也太过份了！再说还说错了：是前一个三极管的Vce压降加后管的Vbe。另外前管的Vce并不一定饱和。

已空

benli 发表于 2015-11-6 07:49
实际上nmos性能要比p的好

是的。N型的MOS、VMOS导通内阻小，跨导大，制造容易，价格便宜，所以市场上多见。
比如：说小的 AO3400，Vgs开启电压1.5伏，2.5伏下rds是52mΩ，4.5伏33mΩ，10伏28mΩ；可见2.5伏以上时开关性能要比双结晶体管好很多。
但是，钛酸锂电池单节额定电压2.4伏，放电保护1.6伏，充电保护高一点2.8伏；用于充电保护显然可以，正常工作以及放电保护就不行了。另外，电池组的保护开关管恐怕用不着讨论了。

已空

w36066 发表于 2015-11-6 02:15
集电极分开引出也没有用的，不信你试试。

看TIP122管子简单的内部电路就知道，不用试，肯定行！！！若打开前管的C极单独引出，接电源正极（当然串电阻），就断开了后管C、E两极两点电位之间闭合环路的联系，后管的饱和压降只与前面灌入电流有关。

已空

我也说得太简单了点，后管的饱和压降当然与参杂等等许多本身特征紧密关联。但是与前面的关系只有灌入电流。