M328V6电子负载开工（M8V6负载的12864版本）

cdhigh

之前的分析
“
经过分析应该是刚上电是因为所有电容都等效为短路状态，
2.5V基准通过R2（2M欧姆）、C1（运放补偿电容）和R10（MOS栅极限流电阻）给MOS栅极充电导致的误导通。
”
可能是错的，因为即使取掉C1，也有上电脉冲放电电流。

donglele2005

cdhigh 发表于 2022-2-3 21:26
目前调试进度，自激问题已经解决，用示波器监控，全量程不震荡，精度也非常满意。

复位状态下有电流，是因为取样电阻运放端电压差
我的解决方法在取样电阻负端和GND串联10欧姆电阻，然后4.7-10k拉到5vcc，相当于加上恒定电流，复位状态下或者空载，功率mos是处于关闭状态
模拟gnd和负载负极并不是直通，看我的电路吧，一句两句说不清楚，
这个台阶电压是固定的   靠软件补偿回来

cdhigh

donglele2005 发表于 2022-2-4 17:11
复位状态下有电流，是因为取样电阻运放端电压差
我的解决方法在取样电阻负端和GND串联10欧姆电阻，然后4. ...

果然前辈，经验丰富！
我找到 shj117 在手电论坛上的M8改四线的帖子，他的方案的原理是完全切断电流通路和PCB的连接，仅在电池负极相连，你这样会不会导致电流有误差？
或者像你所的，台阶电压确定，电流偏差也确定？
不同的放电电流大小会在R23（你的电路图上的检流电阻接地的10欧姆）产生不同的压降，这个如何补偿？

https://www.shoudianbbs.com/forum.php?mod=redirect&goto=findpost&ptid=369510&pid=9395800

cdhigh

接上运放调零电阻，调零会不会有效果？

donglele2005

那个改四线的我曾经参考过，功率管mos的G经过了电流线，电流波动，接触会对控制产生影响，我曾经提出质疑。
这个是我的做法，我是差分后比较，用的AD8629，这样的意义是将信号端固定电压抬高，这样我47毫欧取样电阻0.3ma就可以实现横流可以以0.3ma加电流

你参考下，你需要改进，如果单片机复位状态下，负载有2a左右电流  感觉你模拟部分不对，或者贴个图一起研究研究
如果有十几到几十ma，你的是单端放大  你把电阻拉到取样电阻上端，让模拟部分有一个恒定的电流来抵消0点电位产生的电流
另外参考下，你额外加个上面的电路，来提高小电流下响应
这个10欧姆电阻负载电流没有通过，所以放电电流与他无关   你可以在软件中对电阻取值运算进去就可以

另外电压采样用三个电阻串联，取中间那个电阻端电压，这样就可以在一定范围内跨过gnd电平影响

cdhigh

donglele2005 发表于 2022-2-4 21:09
那个改四线的我曾经参考过，功率管mos的G经过了电流线，电流波动，接触会对控制产生影响，我曾经提出质疑 ...

这是现在的电路图，
MOS驱动换过GandF方案直接驱动，也换过两个三极管基极短接不需要电阻二极管的方案（第二个图），都没有解决。
如果MOS栅极接地再上电就没有脉冲放电电流。






如果上面的图看不清楚，PDF里面可以随意放大
M328V6-sch.pdf (242.75 KB, 下载次数: 19)

2022-2-4 21:35 上传

点击文件名下载附件

cdhigh

问题已经解决，我将图中的R1（10欧姆）取掉就没有上电脉冲放电了。
是软件端口初始化的问题：
之前的代码是这样的，初衷时初始化时拉低PB0（图中的PRO引脚），但是切换DDRB会导致输出一个很窄的脉冲。

1. DDRB  = 0b00000111;  //PB0-PRO,PB1-PWM1,PB2-RaPWM,PB3-Encoder-A,PB4-Encoder-B,PB5-Encoder-C,PB6-unused,PB7-unused
   
2. PORTB = 0b00111000;

复制代码

改成这样就好了，正确的做法是先初始化PORT，再初始化DDR，现在全部改过来了  这部分代码直接使用M8V6的原代码，没有仔细修改，  
现在再回头翻看我的M328V7数控电源的初始化代码，都是先初始化PORT，再初始化DDR的，所以没有这个问题。  

1. PORTB = 0b00111000;

复制代码

1. DDRB  = 0b00000111;

复制代码

论坛的代码格式功能有问题，编辑了很多次都是乱的，要不会丢一行，干脆两行单独写

cdhigh

donglele2005 发表于 2022-2-4 21:09
那个改四线的我曾经参考过，功率管mos的G经过了电流线，电流波动，接触会对控制产生影响，我曾经提出质疑 ...

M8V6的小电流精度确实不好，经过实测，30mA以下基本不可用。估计像你的方案一样，加一个电压偏置会有改善。

不过现在先缓一缓，这么小的电流用的机会也不多

cdhigh

进展：完成第一个和第二个电池的放电曲线，第一个电池是报废19650电池，第二个电池为充电宝拆机三星18650电池，内阻增大，但容量还有2000mAh以上
报废的电池



拆机三星电池


为什么水平不占满屏幕是因为没有外部EEPROM或FLASH用来保存原始数据，只有内存128个点的缓存，开始放电时是1秒一个点，满128个点后切换为2秒一个点，再次满之后切换为4秒一个点，以此类推，每次的时基都加倍，所以最后的曲线水平方向是不会刚刚满屏的，在半屏到满屏之间。
曲线垂直方向就可以不浪费空间，每次都占满屏幕，最顶端为本次放电的最高电压，最底端为本次放电的最低电压。
每次开始放电就自动开始绘制放电曲线，放电结束的同时停止绘制，不再更新，以便观察。

cdhigh

donglele2005 发表于 2022-2-4 21:09
那个改四线的我曾经参考过，功率管mos的G经过了电流线，电流波动，接触会对控制产生影响，我曾经提出质疑 ...

我给电压和电流都加了10mV偏置，但是测试结果没觉得有多少改善，见图中两个红圆圈的偏置。
其中我即使将电流偏置接到检流电阻的上端效果也基本一致，改善不大。
现在怀疑OP07需要调零了