关于ICL7135 兆欧表的问题 （一乐新手 进）

一乐新手

3AG1 发表于 2026-4-11 22:15
看你前面贴的电路板图片，好像PWM 后面的积分电容使用的是普通陶瓷电容，你换成CBB 电容看看有没有改善， ...

我手头没有高压的运放，我只是仿真了一下，VI电路直接用24V行不行？

用10uA电流最高输出20V，然后接一个电压跟随器，电压跟随器输出用2颗电阻分压，10:1这样。
我仿真了一下线性可以。但不知道具体做实验行不行？如果可以我直接更换高电压的运放，然后再做个实验。

一乐新手

3AG1 发表于 2026-4-11 22:15
看你前面贴的电路板图片，好像PWM 后面的积分电容使用的是普通陶瓷电容，你换成CBB 电容看看有没有改善， ...

仿真测试.rar (378.51 KB, 下载次数: 1)

2026-4-24 14:14 上传

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仿真文件

3AG1

VI 输出电路-2.zip (5.81 KB, 下载次数: 1)

2026-4-24 22:13 上传

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可以用低电压的精密运放，你看一下。

3AG1

一乐新手 发表于 2026-4-23 23:05
经过我这几天是实验，重新做了个板子。1uA的这个太不稳定了。而且误差也很大，我用PWM无法调到最终合适的 ...

1uA的这个太不稳定了。而且误差也很大

怀疑是场管的漏电流较大，在不同的GS电压下会有变化，应该选用极低漏电流的场管，干扰信号只会造成不稳定。

3AG1

一乐新手 发表于 2026-4-24 00:58
我手头没有高压的运放，我只是仿真了一下，VI电路直接用24V行不行？

用10uA电流最高输出20V，然后接一个 ...

原理上可行，实际效果要试验才知道。

运放可以用GS8331 之类的低压精密运放。

一乐新手

3AG1 发表于 2026-4-24 22:20
原理上可行，实际效果要试验才知道。

运放可以用GS8331 之类的低压精密运放。

好，我先看一下上面的图。我今天买了几个高耐压的运放，回来试一下效果。

一乐新手

3AG1 发表于 2026-4-24 22:18
怀疑是场管的漏电流较大，在不同的GS电压下会有变化，应该选用极低漏电流的场管，干扰信号只会造成不稳定 ...

我尽快用上图做个实验。

一乐新手

3AG1 发表于 2026-4-24 22:18
怀疑是场管的漏电流较大，在不同的GS电压下会有变化，应该选用极低漏电流的场管，干扰信号只会造成不稳定 ...

极低漏电流的场管，这个应该怎么挑选？

3AG1

一乐新手 发表于 2026-4-24 22:30
极低漏电流的场管，这个应该怎么挑选？

查厂家的规格书。

搜了下：
https://b2b.baidu.com/q/aland?q=0B607C2E083E731519687C0D7A68196E1A6F70151A190D0D19606A761C2B19601A0C192A7C0D7A68196E1A6F70150D2A781119221F637C09&id=qid71a2748c27b15ca0c1287fd57b5f83fc&answer=16150706952895127245&utype=2


一、为什么需要关注漏电流小的场效应管？[color=var(--pcui-font-color)]

漏电流（Gate Leakage Current）是FET在关断状态下从栅极流向沟道的微小电流，直接影响电路的功耗和稳定性。在电池供电设备、传感器、医疗电子等低功耗场景中，漏电流过大会导致待机时间缩短甚至误触发。例如，物联网设备的休眠电流需控制在μA级以下，而某些高端FET的漏电流可低至1pA以下（数据来源：Infineon技术手册）。因此，选型时需重点关注以下参数：

• 栅极漏电流（Igss）：关断时栅极-源极间的电流，优秀型号通常<1nA。
• 导通电阻（Rds(on)）：权衡低漏电流与导通损耗的关键指标。
  
  

二、主流低漏电流场效应管型号推荐[color=var(--pcui-font-color)]

根据工艺和材料差异，以下为典型低漏电流FET型号及性能对比：

型号

类型

漏电流（Igss）

电压/电流规格

应用场景

BSR302	Si MOSFET	0.5nA（@25°C）	30V/3A	便携式设备电源管理
DMG2305UX	增强型MOS	100pA（@Vgs=20V）	20V/4A	传感器信号开关
EPC2010C	GaN FET	50pA（@Vgs=5V）	100V/10A	高频电源转换
SiC MOSFET	SiC FET	<1nA（@1200V）	1200V/20A	新能源汽车逆变器

[color=var(--pcui-font-color)]

注：数据来源于厂商Datasheet（如ONSemi、EPC、ROHM等）。

三、选型建议与注意事项[color=var(--pcui-font-color)]

• 温度影响：漏电流随温度升高呈指数增长，例如Si MOSFET在85°C时漏电流可能增加10倍，需预留设计余量。
• 封装优化：SOT-23等小封装易受寄生电容影响，建议优先选择DFN或QFN封装以降低漏电。
• 动态性能：GaN FET虽漏电流极低，但需搭配专用驱动芯片以避免导通振荡。
  
  

一乐新手

3AG1 发表于 2026-4-24 22:38
查厂家的规格书。

搜了下：

明白了，现在用AI查询一些问题也很好。您可以试试。
我已经买了高电压运放。回来测试一下。再挑选一下场管。综合测试。

这个问题搞的我很头疼，本来程序都写完了。