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楼主: apachectl

[DP50数控电源] DP50发布V1.1版本,增加了锂电池充电的功能【B0830版本发布】

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发表于 2013-8-24 20:29 来自手机 | 显示全部楼层
zjo007 发表于 2013-8-24 13:43
不怕,死了一个还有一个!

刚才看了下好像是可以防倒灌。你试试。就割一条线增加4个元件。全部就近改在那个角上,vin也在那边还是方便的。。手画的直观图你看看。呵呵
UC_Photo_015.jpg
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发表于 2013-8-24 20:29 | 显示全部楼层
可惜现在没套件了,买不到啊。。。。。。。。。。
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发表于 2013-8-24 20:32 来自手机 | 显示全部楼层
防反接好像也可以。不过我不清楚mcu脚通过二极管能不能在输出高电平的情况下强制下拉到低电频,或者可能损坏单片机。呵呵
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 楼主| 发表于 2013-8-25 00:27 | 显示全部楼层
zhqsoft 发表于 2013-8-24 09:12
防倒灌是不是可以这样改。5个元件。
把取样到原mos的电路隔断,再加一级mos。驱动电压取自输入的肖特基之 ...

a1.jpg
仔细研究下,发现这个方案不行,mos管都有寄生二极管,因此,还是会倒灌的;另外对于外接电池形成的地来说,两个mos管的控制极都没有和此时的电池地有任何的联系,因此都是高电平,MOS管处于导通的状态;
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发表于 2013-8-25 00:31 | 显示全部楼层
坐等套件
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发表于 2013-8-25 00:34 | 显示全部楼层
apachectl 发表于 2013-8-25 00:27
仔细研究下,发现这个方案不行,mos管都有寄生二极管,因此,还是会倒灌的;另外对于外接电池形成的地 ...

还好我没当小白鼠,要不白当了
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发表于 2013-8-25 00:36 来自手机 | 显示全部楼层
apachectl 发表于 2013-8-25 00:27
仔细研究下,发现这个方案不行,mos管都有寄生二极管,因此,还是会倒灌的;另外对于外接电池形成的地 ...

那按你说的101楼画了一张你看看。不增加mos。就用原来那个。吧两个g极隔开了用。
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发表于 2013-8-25 00:46 来自手机 | 显示全部楼层
zjo007 发表于 2013-8-25 00:34
还好我没当小白鼠,要不白当了

那个是之前的。  101楼那个不同。大伙研究下。画的模拟实物图是对的。原理图潦草了点。哈哈哈还有很多错的地方所以不用看。。。。关于防止反接,笨办法就是再增加mos。。。那个反接后用二极管把单片机引脚高强制拉低是理念,不知道能不能实现。

以上纯粹瞎想。大伙晚安。我再去和周公讨论讨论。
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发表于 2013-8-25 00:48 | 显示全部楼层
我忍不住了,来一个
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 楼主| 发表于 2013-8-25 08:17 | 显示全部楼层
zhqsoft 发表于 2013-8-25 00:46
那个是之前的。  101楼那个不同。大伙研究下。画的模拟实物图是对的。原理图潦草了点。哈哈哈还有很多错 ...

我觉得mos的控制极必须和电池地有联系才对,3ag有个图使用了运放比较器完成的,太复杂了
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