给喜欢纯模拟电源的朋友一个“根据调整管压差切换输入电压”的原理图

3AG1

可以看LT1083的DATASHEET
fujiachun 发表于 2011-5-23 08:11 http://116.255.141.47/images/common/back.gif

    看过LT1083的PDF文件里那个图，感觉复杂了些。
里面的运放和比较器可以用比较便宜的LM358和LM393代替。

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这种根据调整管压差控制可控硅移相触发的电路该怎么做呢？
benli 发表于 2011-5-23 09:44 http://116.255.141.47/images/common/back.gif

    主要有过零检测、延时触发、调整管压降检测组成。

过零检测可以用三极管、光耦、运放或比较器来做;
延时触发在过零后给可控硅一个足够宽度的触发脉冲，保证触发可靠;
调整管压降在设定值以上时，可控硅不触发，低于设定值只在过零后触发，其他时间也不触发。

这样就可以保证调整管上的压降很小，功耗较低，而且不会产生开关干扰。

huayuliang

可控硅整流，过零触发，不错。。估计唯一的缺点就是：工频频率太低，储能滤波电容得够大。不然的话，可控硅不导通的时间里，如果负载比较重，纹波反而会很大。

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可控硅整流，过零触发，不错。。估计唯一的缺点就是：工频频率太低，储能滤波电容得够大。不然的话，可控硅 ...
huayuliang 发表于 2011-5-23 20:53 http://116.255.141.47/images/common/back.gif

    确实存在这个问题。
一般都是用两个以上的滤波电容并联，保证有足够的容量，还可充放较大的电流。
对变压器的品质要求也较高，整流二极管也要有足够的余量。

效果还是不错的，省掉了大型散热器，效率比较高。

huayuliang

是啊，很不错。哦，LT的那个电路里还有储能电感和二极管，看来已经考虑得很全面了。

我曾经还看过另一种形式的，属于斩波性质，用的是MOSFET。可惜这种方式会产生噪声。

qzlbwang

说说我的看法：
49楼的电路，第一，由于BG2、BG3的集电极是由辅助电源供电的，那么调整管BG4可以工作在低压差状态，2A时最低压差可以到1点几伏，从这点来说，只要参数配置得合理，调整管的压差可以比较小，效率会比较高，发热也比较小。第二，可控硅阴极上串联的电阻R20的阻值有2欧姆，那么在输出电流2A时的功耗起码会有8W(实际上由于这里的电流是波动的，甚至是断续的，电流的平均值为2A时的有效值要比2A要大，所以功耗会大于这个值)，这样的话调整管的功耗是降低了，但这电阻上的功耗也不低，所以总体上的效率提高效果就要打折。那么R20是否可以减小或者取消呢？我们不妨分析下：为了方便分析，我们假定变压器、整流器、可控硅导通时的内阻为0(实际上是存在内阻的，我们可以把它们折合到R20上看待)。当可控硅导通时，其电流可以很快地（跟着整流后的电压波形）把电容C10充电到输入电压的峰值。而在可控硅非导通状态时，输出电流要靠C10的放电来维持，那么根据这个电路的控制原理，当输出电压比较低时，可控硅的导通的波头数就会减少，也就是导通一个波头休息一个或几个波头（当电压不太低时可能是导通几个波头休息一个波头）。那么同样的输出电流下，两个连续导通的波头间C10的放电时间是小于10ms(但是接近10ms，原因是充电时间很短)，而如果两导通波形间休息了一个波头的话，就是接近20ms,休息2个波头的话就是30ms。。。那么电容上的电压“峰”点电压都是输入波形的峰值。而“谷”点电压呢，休息一个波头的会是连续导通情况“下降幅度”增加了一倍多（增加了足足10ms），同理休息休息2、3等个波头的会是2倍多、3倍多等。也就是纹波要增加2、3.。。。倍。而对于调整管来说，我们需要的保证最小压差。也就是“谷”点时也要保证最小压差，否则的话就不能保证输出电压的质量。那么在这种情况下调整管的最大压差很大，平均压差也不小，效率也就不可能比较高了。而R20的引入正是为了兼顾这一问题：降低了C10的充电速度，延长了其充电时间，也降低了C10上的峰点的电压（不再和输入电压的峰值相等，输出电压越低时峰点电压也越低），降低了纹波，调整管在同样保证最低压差的情况下其最大压差也比原来有很大的改善。平均压差就比较小了，那效率就比较高了。可以看出R20的选择是一种无奈的折中，大了本身的功耗大发热严重，小了纹波大，调整管功耗大发热大（指的是保证调整管工作在线性范围内，也就是保证最小压差的情况）。相信原设计者已经对其大小进行了合理的选择。另外，这里已经有了辅助电源，MOS管的驱动不会增加难度，调整管如果改用MOS管的话还可以减小点“最低压差”，更有利于提高效率。

qzlbwang

51楼的电路：
这个是可控硅移相触发控制的。用了DLC滤波来减低可控硅“裁割”带来的噪声。对后面的稳压电路来说可以保证其压差在一个比较合理且相对较低的范围内，会有比较好的效果。关键是这个滤波要做得好，使得噪声指标合格。
关于55楼提的在“斩波”方式。是属于“开关电源+线性电源”的结构。噪声问题是主要问题，解决的方法除了上面一样要做好“滤波”外，还可以：1、适当地降低“斩波”频率。2、适当地降低开关管（MOS管）的开关速度，适当地增加其开关损耗（当然效率也就降低了，也需要散热了），减少其高次谐波的幅度。（比如适当降低其栅极驱动的充放电电流等）。

benli

49楼的图直接用可控硅做半控桥式整流，这样不是可以降低一个二极管的压降？

fujiachun

看过LT1083的PDF文件里那个图，感觉复杂了些。
里面的运放和比较器可以用比较便宜的LM358和LM39 ...
3AG1 发表于 2011-5-23 20:22 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

好象不可以的LT1011是精密比较器，393的失调比价高，用在这里容易出现“自激：LM301不是通用的运放，他的结构比较特殊，可以通过外部补偿共模失调，这里的两个取样分别来自调整管的两边，普通的通用运放不能正常工作的。

fujiachun

51楼的电路：
这个是可控硅移相触发控制的。用了DLC滤波来减低可控硅“裁割”带来的噪声。对后面的稳压电路 ...
qzlbwang 发表于 2011-5-24 09:43 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

这个电路还有一个巧妙的地方，使用全波整流，这样整流后带啦的奇次谐波可以相互抵消之有偶次谐波，而偶次谐波可以很容易被滤波器滤波，所以它的噪音反到小于通常使用的桥式整流电路。实际曾经有一款菊水的电源就是使用的这个电路，噪声和波纹都非常好。