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M8_R2R_MOS版数控电源 预装(并联两个N沟道MOS功率管)

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发表于 2009-8-19 17:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近,好几位朋友安装 M8_R2R_“套件”,都出现了不同的问题。
虽然这是必然会出现的现象.......但是,总感觉:怎么会出现这么多的“故障率”?

我今天稍空,就按套件的基本配置,重新安装了一块“套件”PCB——是为了使用MOS功率管而准备的。
1、317/7812位置,要给以后的“辅助电源”留位置,所以没有安装317或者7812——而是临时使用一个240/2W电阻、代替它们、降压提供7805。
Q2亦不安装,短路“MOS”(Q2之BE)两端,直接由Q4(8550)驱动Q1=N_MOSx2——仅使用两个200电阻、隔离一下两个N_MOS功率管的G极,其余两个D、S 直接并接到原Q1的C、E端。
2、因为手头电阻的系列不齐,R9(原47K)改装20K、RP改装8K2;W(对比度电位器)改装50K;R14(LCD背光限流电阻)装47;旁路和去振电容器(C12/CS1/C6)均暂不安装;其余基本上按原电路图安装。
3、只是,“加强”了M8的旁路和去耦电容器,原标104的安装了474;C10装了105;C3在背面的M8管脚处又加了个474,C9在背面加装了一个3u3。
PCB的背面功率回路,使用剪下的元件引线、在PCB的敷锡层上面,再加焊了一厚层的锡!
4、其余,和普通的“套件”安装、一模一样——只是,所有的元器件、在普通的3-1/2数字万用表可能的测试范围内,安装之前、都测试过......
5、检查Vcc无到地短路。使用usbasp在线下载AZ固件,成功——熔丝位“低64高D9”8M内部振荡。
6、为方便输入供电电源的接插件配合,临时使用最普通的电源适配器供电:输出电压空载16.8V,负载0.5A就低到12V......
7、通电,一切正常——要不正常,亦难!
8、使用4个10/10W功率电阻组成的10/40W负载,设置输出5V/1A......显示输出5V/0.42A——LCD显示已经明显暗淡!
9、实测,供电电源输出跌落为12V,240/2W电阻之后的7805输出电压4.2V=VCC(正常值5.0V),LCD在D1之后、仅是3.7V供电;
10、实际输出电压4.2V——显示值5.0V——估计内部基准电源已经下降......但是M8仍然“坚持正常工作”!!!
以上,或许可以提供朋友们参考?

组装基本完成之后的M8_R2R_MOS版数控电源(尚未加“辅助电源”):
M8_R2R_MOS试验版 正面.jpg
M8_R2R_MOS试验版 反面.jpg

这是刚才回家用12V开关电源,作为供电电源、带1/40W负载的临时性试验:
M8_R2R_MOS试验版 带载试验.jpg
LCD局部:
M8_R2R_MOS试验版 带载试验 LCD显示.jpg


发表于 2009-8-19 18:17 | 显示全部楼层
沙发
老大亲自装它那敢出问题,可惜在我等新手面前它就不那么听话了,现在自激问题还是不能解决。
 楼主| 发表于 2009-8-19 18:50 | 显示全部楼层
原帖由 zkguest 于 2009-8-19 18:17 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
老大亲自装它那敢出问题,可惜在我等新手面前它就不那么听话了,现在自激问题还是不能解决。


实际上
只要仔细一点点,问题就会少一大片!
跟“老大”和“老小”无关。

我昨天试验 HRD 12008和 KIC 125 开关电源的“输出电压控制”
居然把控制板的电源电压“反接”了——后果当然可以料想!!!
发表于 2009-8-19 20:48 | 显示全部楼层
我也是一次就成功。不知道不成功的朋友是不是准备工作都没做好。不然这个简单的套件哪有这么难啊。
老实一点,慢一点。仔细一点。打印个电路图,看准一一对位。焊完准一上电就ok!
发表于 2009-8-19 21:04 | 显示全部楼层
现在还发现一个问题,一接上负载电压掉很多设定的是5V,LCD显示0V,万用表显示2V
发表于 2009-8-19 21:21 | 显示全部楼层
我也是一次就成功。不知道不成功的朋友是不是准备工作都没做好。不然这个简单的套件哪有这么难啊。
老实一点,慢一点。仔细一点。打印个电路图,看准一一对位。焊完准一上电就ok!


确实的
发表于 2009-8-19 23:53 | 显示全部楼层
不明白,用MOS有啥好处呢,我手头的N-MOS不是一般的多,是很多
发表于 2009-8-20 02:59 | 显示全部楼层
原帖由 100MHZ 于 2009-8-19 23:53 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
不明白,用MOS有啥好处呢,我手头的N-MOS不是一般的多,是很多

第一可以降低压差,第二可以多个直接并联,最主要的是不容易自激
发表于 2009-8-20 14:05 | 显示全部楼层
原帖由 fujiachun 于 2009-8-20 02:59 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

第一可以降低压差,第二可以多个直接并联,最主要的是不容易自激


那有没有坏处呢?
电压,电流精度跟哪些元件有关系?
发表于 2009-8-20 14:30 | 显示全部楼层
电压,电流精度跟哪些元件有关系? 最主要的是MCU的AD和DA,当然如果要求高则几乎和所有的元件都有关系

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