M8_R2R_MOS版数控电源 预装（并联两个N沟道MOS功率管）

100MHZ

原帖由 fujiachun 于 2009-8-20 14:30 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
电压，电流精度跟哪些元件有关系？ 最主要的是MCU的AD和DA，当然如果要求高则几乎和所有的元件都有关系

M8内部不可调的就算了，我想知道的是可以更换的，成本不高的，可以提高精度的元件

among

原帖由 fujiachun 于 2009-8-20 02:59 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

第一可以降低压差，第二可以多个直接并联，最主要的是不容易自激

搭车问一下论坛出的m8负载，那个mos能不能直接并联
套件配的是三个IRF3205，只装一个的情况下工作良好，因为想扩流就打算并联mos，结果无论三个怎么并，总是只有一个能工作的，郁闷啊

zkguest

原帖由 among 于 2009-8-20 23:40 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif


搭车问一下论坛出的m8负载，那个mos能不能直接并联
套件配的是三个IRF3205，只装一个的情况下工作良好，因为想扩流就打算并联mos，结果无论三个怎么并，总是只有一个能工作的，郁闷啊

不会啊，像我这种小白都把它装起了，你仔细看看图，到扩展板好像要接4根线样

wangmcu

原帖由 100MHZ 于 2009-8-19 23:53 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
不明白，用MOS有啥好处呢，我手头的N-MOS不是一般的多，是很多

  多的话出点坛里的兄弟嘛，不要光说不练，送我是举双手赞成的，实在不行便宜点我也可以收的。

zkguest

我在主板上找到几个MOS管，不过用白光怎么也拆不下来

fujiachun

原帖由 wangmcu 于 2009-8-21 17:11 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
   多的话出点坛里的兄弟嘛，不要光说不练，送我是举双手赞成的，实在不行便宜点我也可以收的。

我加上两只脚.................................

无锡风

        今天测试了一下：
        以下的测试数据，均是在两个MOS功率管的DI/D2、S1/S2直接并联，G1/G2各加一个200欧姆电阻之后、再并联的条件下，进行的实验：
        1、在2.00A总负载电流下，实测两个并联的MOS功率管的电流分配是0.92A/1.08A——MOS管未挑选、随便抓的——可能是GS特性不一致........还在权衡是不是加均流电阻的问题........
        看来，MOS功率管的并联，相比双极晶体管而言，的确要容易处理得多；
        2、在2.28A总负载电流下，实测D-S之间的“压差”保持在0.1V以上（实测80mV以上、就不会报警），即可保证处于输出稳压状态。
        考虑到，此时电流从采样电阻R4上面的压降、就有1.14V——看来，“低压差”调整的可能性，还是接近期望值了；
        3、以上试验时，辅助电源并没有处于“稳压”状态——其波动，在一定的范围内，看来不影响“稳压”的调整状态——对于“辅助电源”的设计要求，就可以相对降低了。

fujiachun

严重的期待中，MOS已经准备好了，就等摘冯老师的“桃子”了
在2.00A总负载电流下，实测两个并联的MOS功率管的电流分配是0.92A/1.08A，正常，MOS管直接并联是因为MOS管是负温度系数，电流大的一个温度会越来越高，同时导通电阻会越来越大，电流也就逐渐减小，直到和另外的一个平衡，所以理论上不用考虑均流电阻。
双级管的温度系数是正的，电流越大温度越高，内阻越小，直到热击穿，所以要均流

无锡风

原帖由 fujiachun 于 2009-8-22 12:03 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
MOS管直接并联是因为MOS管是负温度系数，电流大的一个温度会越来越高，同时导通电阻会越来越大，电流也就逐渐减小，直到和另外的一个平衡，所以理论上不用考虑均流电阻。
双级管的温度系数是正的，电流越大温度越高，内阻越小，直到热击穿，所以要均流...

傅老师，您是否说反了？

fujiachun

哈，刚好把正负说反了 ，不过其他的没有反：；