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楼主: 无锡风
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M8_R2R_MOS版数控电源 预装(并联两个N沟道MOS功率管)

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发表于 2009-8-29 13:44 | 显示全部楼层
辅助电源的板是您自己做来玩一下的还是准备出个小套件?您的试验算成功了吗?
 楼主| 发表于 2009-8-29 16:43 | 显示全部楼层

谢谢关注!

原帖由 wangyonjie 于 2009-8-29 13:44 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
辅助电源的板是您自己做来玩一下的还是准备出个小套件?您的试验算成功了吗?


现在,当然是“自己做来玩一下”的。

目前的实验,从低压差稳压的原理和实践而言,可以算是成功了;
但是,目前功率MOS管的保护问题,还存在问题!
 楼主| 发表于 2009-8-29 16:59 | 显示全部楼层
原帖由 fujiachun 于 2009-8-27 10:06 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
冯老师:昨天查了一下MOS的资料,导通开启阀值是0.45-3V,但是导通电流和Vgs有关,要达到完全开启大约要10V左右


傅老师,我们一起来探讨一二:
    1、“导通开启阀值是0.45-3V”,我是按普通易得的N_MOS功率管,譬如75N75(电动车常用),“最大开启电压”4V来考虑的——所以,选择辅助电源电压5V;
    2、“导通电流和Vgs有关,要达到完全开启大约要10V左右”——说的不错!
        我是这样考虑的:
        ①、“完全开启”,是指达到“最大ID”值——譬如75N75的IDmax是75A——而我们现在使用的ID值、尚不足于其1/30(按最大输出5A、双管并联计,单管2.5A)!
        所以,能否说:不需要“达到完全开启大约要10V”?
            75N75 曲线.PNG
        ②、现在,我采用的是“功率电源电压”+“辅助电源电压”的方式;除非在接近“低压差”输出阶段(<1V)之外,Vgd值、是可以“满足”可能需要的10V要求的。
发表于 2009-8-30 00:50 | 显示全部楼层

请教冯老师,Vdg的耐压和Vgs耐压是否相同

找了一晚上,还是没有找到,记得哪里说过,如果栅压不足,如果过电流可能造成源--漏击穿,但是仿真看,如果这个辅助电源的电压高的话,会使得栅--漏的电压升高,差datasheet没有看到这个的耐压参数,是否理解为Vgs?,如果是,输出电压低到一定程度可能造成漏--栅级击穿
power.jpg
 楼主| 发表于 2009-8-30 10:58 | 显示全部楼层
原帖由 fujiachun 于 2009-8-30 00:50 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
......记得哪里说过,如果栅压不足,如果过电流可能造成源--漏击穿,但是仿真看,如果这个辅助电源的电压高的话,会使得栅--漏的电压升高,差datasheet没有看到这个的耐压参数,是否理解为Vgs?,如果是,输出电压低到一定程度可能造成漏--栅级击穿 ...


这个“仿真”,我到现在还没有“进去”——看不懂——真是笨!!!
可能是您说的罢?

我现在试验,在GS(原帖错为GD!)之间,加稳压管进行Vgd过压保护(兼负压保护)——但是,输出短路,仍然会烧功率管(击穿)!


[ 本帖最后由 无锡风 于 2009-9-2 15:45 编辑 ]
发表于 2009-8-30 12:12 | 显示全部楼层
请问您现在是哪个极击穿
 楼主| 发表于 2009-8-30 13:35 | 显示全部楼层
原帖由 fujiachun 于 2009-8-30 12:12 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
请问您现在是哪个极击穿


GS击穿的,有DS击穿的;
明天再测试落实一下。

[ 本帖最后由 无锡风 于 2009-9-2 15:46 编辑 ]
发表于 2009-9-1 19:45 | 显示全部楼层
原帖由 无锡风 于 2009-8-30 10:58 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif


这个“仿真”,我到现在还没有“进去”——看不懂——真是笨!!!
可能是您说的罢?

我现在试验,在GD之间,加稳压管进行Vgd过压保护(兼负压保护)——但是,输出短路,仍然会烧功率管(击穿)!

GD之间怎么接稳压管保护?
发表于 2009-9-1 20:48 | 显示全部楼层
刚刚重复冯老师的实验,将功率管直接换成了MOS管,型号BUZ347,没有上辅助电源,短路原来设计的硬件保护部分
1、没有拆除原来的推动管Q2,电源失控,输出和输入一样。
2、拆除了Q2,短接MOS跳线,输入电压20V,保证不会因为过电压击穿MOS,该管Vgs20V,输出设定5V,输出正常,带负载正常。提高输出电压到10V输出正常负载电流1.5A,输出正常。
3、提高电源电压到30V已经高于MOS的Vgs,输出5V,空载正常,带电流电源失控,疑似MOS损坏,拆下测量S-D完全导通,短路MOS管G-S,截至,再测量MOS,没有损坏,一场虚惊。实测8550已经牺牲,奇怪在于用双极性晶体管的时候上过同样的电压海没有找到损坏的原因损坏的情况是C-E击穿。明天换8550为A 1013,8050为A42试试
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:53 | 显示全部楼层
原帖由 aaaxy 于 2009-9-1 19:45 发表 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif
GD之间怎么接稳压管保护?


GS之间“并接”稳压管——12V稳压二极管的负极接G,稳压二极管正极接S
        (原帖错为GD
栅极(包括稳压二极管)之前,接限流电阻;
请指教!!!

[ 本帖最后由 无锡风 于 2009-9-2 15:48 编辑 ]

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